光学的メモリの記録方法及び光学的メモリ

開放特許情報番号
L2013002091
開放特許情報登録日
2013/10/14
最新更新日
2013/10/14

基本情報

出願番号 特願2006-043034
出願日 2006/2/20
出願人 国立大学法人九州工業大学
公開番号 特開2007-221708
公開日 2007/8/30
登録番号 特許第4734641号
特許権者 国立大学法人九州工業大学
発明の名称 光学的メモリの記録方法及び光学的メモリ
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 光学的メモリの記録方法及び光学的メモリ
目的 光学的メモリに格納する動的再構成の光パターン相互間に関連付けて記録して光パターンを集中照射することにより光再構成速度を飛躍的に向上させることができる光学的メモリの記録方法及び光学的メモリを提供する。
効果 複数の再構成回路パターン相互間の関連を付けて共通しない論理演算セルの差分についてのみ光再構成を行うこととなり、光再構成の速度を飛躍的に向上させることができる。特に、光学的メモリをホログラムメモリで形成して論理演算セルにビット単位で部分的な光再構成を行う場合には、より少ないビット数に光パターンの再生光を集光してより高い光エネルギーで光再構成できることから、より高速な光再構成が可能となる。
技術概要
再構成回路パターンに対応する光パターンの照射により各種の論理演算回路を再構成する論理演算セルをアレイ状に配列されてなる光再構成型ゲートアレイに対して照射する光パターンの記録情報を光学的メモリを複数格納する光学的メモリの記録方法において、
前記再構成される複数の再構成回路パターン中で共通する論理演算セルが同じ配設領域となるように前記複数の光パターンの記録情報を光学的メモリに格納することを
特徴とする光学的メモリの記録方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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