| 出願番号 |
特願2007-014919 |
| 出願日 |
2007/1/25 |
| 出願人 |
国立大学法人九州工業大学 |
| 公開番号 |
特開2008-182088 |
| 公開日 |
2008/8/7 |
| 登録番号 |
特許第5369274号 |
| 特許権者 |
国立大学法人九州工業大学 |
| 発明の名称 |
有機電界効果トランジスタ |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
有機電界効果トランジスタ |
| 目的 |
有機ＦＥＴの応用の一つとして、外部からの刺激、例えば、外部からの光に応答する光メモリのようなメモリ機能を有する、外部刺激応答性素子の基本的な原理・構成を提供する。 |
| 効果 |
本発明の有機ＦＥＴは、極めて大きな開口率を有する受光素子となる。一方、高いトランジスタ性能を低下させない機能をも有する。
比較的低温のプロセスで製造することができる。このため、基板にプラスチックフィルムを使用でき、軽量で柔軟性に優れた壊れにくい電子デバイスを作製できる。また、大面積の電子デバイスを高価な設備を必要とせず低コストで製造できる。
本発明の光メモリは、三原色に応答する素子を個々にデザインし、ＲＧＢに対応したイメージメモリとして利用できる。 |
技術概要
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有機半導体層、ソース電極、ドレイン電極及びゲート電極を有し、該ソース電極と該ドレイン電極の間のチャネル領域が該有機半導体層からなり、該有機半導体層と該ゲート電極がゲート絶縁層によって隔てられている有機電界効果トランジスタにおいて、前記ゲート電極が、前記ゲート絶縁層側から順番に配置された、フローティングゲート電極、光照射等の外部刺激に応答して導電性となる性質を有する第２絶縁層、コントロールゲート電極から構成されていることを特徴とする有機電界効果トランジスタである。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【可】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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