固体電子装置

開放特許情報番号
L2013002047
開放特許情報登録日
2013/10/8
最新更新日
2015/10/2

基本情報

出願番号 特願2012-551406
出願日 2012/10/25
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 WO2013/069471
公開日 2013/5/16
登録番号 特許第5278717号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 固体電子装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 固体電子装置
目的 固体電子装置として適用可能な電気特性を備えるとともに、製造プロセスが簡素である工業性ないし量産性に優れた固体電子装置を提供する。
効果 電気特性が良好な固体電子装置を得ることが可能となる。
より優れた電気特性を得ることができ、リーク電流の低減を図ることができる。
また、電気特性が良好な、キャパシタ・半導体装置・MEMSデバイス等を提供することが可能となる。
技術概要
本発明の1つの固体電子装置は、ビスマス(Bi)とニオブ(Nb)とからなる酸化物層(不可避不純物を含み得る)を備え、酸化物層が、パイロクロア型結晶構造及び/又はβ−BiNbO↓4型結晶構造の結晶相を有し、酸化物層中の炭素含有率が1.5atm%以下である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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