光電変換素子及びその製造方法

基本情報

出願番号	特願2012-037574
出願日	2012/2/23
出願人	国立大学法人島根大学
公開番号	特開2013-175507
公開日	2013/9/5
登録番号	特許第5920818号
特許権者	国立大学法人島根大学
発明の名称	光電変換素子及びその製造方法
技術分野	電気・電子
機能	材料・素材の製造、制御・ソフトウェア
適用製品	光電変換素子及びその製造方法
目的	高い光電変換効率をもつ大面積の光電変換素子をＺｎＯを用いて得る。
効果	高い光電変換効率をもつ大面積の光電変換素子をＺｎＯを用いて得ることができる。
技術概要	透明な基板１１の上にＺｎＯ系透明導電膜１２が形成され、その上にｎ型ＺｎＯ系薄膜１３が順次形成されている。このｎ型ＺｎＯ系薄膜１３の上に、微粒子層１４が形成されている。微粒子層１４は、微粒子１４１がｎ型ＺｎＯ系薄膜１３上に塗布等の方法によって分散して配され、その後で焼成されることによって形成される。微粒子１４１には、少なくともＺｎＯ微粒子が含まれる。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【可】
特許権実施許諾	【可】

登録者名称	国立大学法人島根大学