光電変換素子及びその製造方法

開放特許情報番号
L2013002044
開放特許情報登録日
2013/10/3
最新更新日
2016/6/21

基本情報

出願番号 特願2012-037574
出願日 2012/2/23
出願人 国立大学法人島根大学
公開番号 特開2013-175507
公開日 2013/9/5
登録番号 特許第5920818号
特許権者 国立大学法人島根大学
発明の名称 光電変換素子及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 光電変換素子及びその製造方法
目的 高い光電変換効率をもつ大面積の光電変換素子をZnOを用いて得る。
効果 高い光電変換効率をもつ大面積の光電変換素子をZnOを用いて得ることができる。
技術概要
透明な基板11の上にZnO系透明導電膜12が形成され、その上にn型ZnO系薄膜13が順次形成されている。このn型ZnO系薄膜13の上に、微粒子層14が形成されている。微粒子層14は、微粒子141がn型ZnO系薄膜13上に塗布等の方法によって分散して配され、その後で焼成されることによって形成される。微粒子141には、少なくともZnO微粒子が含まれる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【有】   
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