光電変換素子及びその製造方法
- 開放特許情報番号
- L2013002044
- 開放特許情報登録日
- 2013/10/3
- 最新更新日
- 2016/6/21
基本情報
出願番号 | 特願2012-037574 |
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出願日 | 2012/2/23 |
出願人 | 国立大学法人島根大学 |
公開番号 | |
公開日 | 2013/9/5 |
登録番号 | |
特許権者 | 国立大学法人島根大学 |
発明の名称 | 光電変換素子及びその製造方法 |
技術分野 | 電気・電子 |
機能 | 材料・素材の製造、制御・ソフトウェア |
適用製品 | 光電変換素子及びその製造方法 |
目的 | 高い光電変換効率をもつ大面積の光電変換素子をZnOを用いて得る。 |
効果 | 高い光電変換効率をもつ大面積の光電変換素子をZnOを用いて得ることができる。 |
技術概要![]() |
透明な基板11の上にZnO系透明導電膜12が形成され、その上にn型ZnO系薄膜13が順次形成されている。このn型ZnO系薄膜13の上に、微粒子層14が形成されている。微粒子層14は、微粒子141がn型ZnO系薄膜13上に塗布等の方法によって分散して配され、その後で焼成されることによって形成される。微粒子141には、少なくともZnO微粒子が含まれる。 |
実施実績 | 【無】 |
許諾実績 | 【無】 |
特許権譲渡 | 【可】 |
特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
登録者名称 | |
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その他の情報
関連特許 |
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