| 出願番号 |
特願2012-035761 |
| 出願日 |
2012/2/22 |
| 出願人 |
国立大学法人島根大学 |
| 公開番号 |
特開2013-170302 |
| 公開日 |
2013/9/2 |
| 発明の名称 |
ＡＺＯ成膜用ターゲットおよびその製造方法 |
| 技術分野 |
金属材料、電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造、制御・ソフトウェア |
| 適用製品 |
ＡＺＯ成膜用ターゲットおよびその製造方法 |
| 目的 |
マグネトロンスパッタリングにおいてエロージョンを低減するターゲットおよびその製造方法を提供する。 |
| 効果 |
エロージョンの発生を著しく低減し、興業上実質的に均一な電気伝導度を有するＡＺＯ膜を基板上に成膜可能となる。
本発明の製造方法により得られるターゲットは、マグネトロンスパッタリングに用いるのに好適であって、低抵抗かつ成膜面の抵抗率分布の差を抑制したＡＺＯ膜を得ることができる。 |
技術概要
 |
マグネトロンスパッタリングによりＡＺＯを成膜するためのターゲットであって、ＺｎＯ粉末とＡｌ粉末を、ＺｎＯ−ｘｍｏｌ％Ａｌ（２≦ｘ≦７）となるように混合して非酸化性雰囲気で加圧焼結したことを特徴とするターゲットである。また、マグネトロンスパッタリングによりＡＺＯを成膜するためのターゲットの製造方法であって、ＺｎＯ粉末とＡｌ粉末を、ＺｎＯ−ｘｍｏｌ％Ａｌ（２≦ｘ≦７）となるように混合し、次いで非酸化性雰囲気で上記混合粉末を加圧焼結することを特徴とするターゲット製造方法である。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【可】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)