AZO成膜用ターゲットおよびその製造方法

開放特許情報番号
L2013002041
開放特許情報登録日
2013/10/3
最新更新日
2013/10/3

基本情報

出願番号 特願2012-035761
出願日 2012/2/22
出願人 国立大学法人島根大学
公開番号 特開2013-170302
公開日 2013/9/2
発明の名称 AZO成膜用ターゲットおよびその製造方法
技術分野 金属材料、電気・電子
機能 材料・素材の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 AZO成膜用ターゲットおよびその製造方法
目的 マグネトロンスパッタリングにおいてエロージョンを低減するターゲットおよびその製造方法を提供する。
効果 エロージョンの発生を著しく低減し、興業上実質的に均一な電気伝導度を有するAZO膜を基板上に成膜可能となる。
本発明の製造方法により得られるターゲットは、マグネトロンスパッタリングに用いるのに好適であって、低抵抗かつ成膜面の抵抗率分布の差を抑制したAZO膜を得ることができる。
技術概要
マグネトロンスパッタリングによりAZOを成膜するためのターゲットであって、ZnO粉末とAl粉末を、ZnO−xmol%Al(2≦x≦7)となるように混合して非酸化性雰囲気で加圧焼結したことを特徴とするターゲットである。また、マグネトロンスパッタリングによりAZOを成膜するためのターゲットの製造方法であって、ZnO粉末とAl粉末を、ZnO−xmol%Al(2≦x≦7)となるように混合し、次いで非酸化性雰囲気で上記混合粉末を加圧焼結することを特徴とするターゲット製造方法である。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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