有機半導体材料および有機薄膜トランジスタ

開放特許情報番号
L2013002006
開放特許情報登録日
2013/9/27
最新更新日
2013/12/20

基本情報

出願番号 特願2009-077398
出願日 2009/3/26
出願人 国立大学法人九州工業大学
公開番号 特開2010-232368
公開日 2010/10/14
登録番号 特許第5392706号
特許権者 国立大学法人九州工業大学
発明の名称 有機半導体材料および有機薄膜トランジスタ
技術分野 電気・電子、有機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 有機半導体材料および有機薄膜トランジスタ
目的 キャリア移動度と安定性が高く、容易な製造プロセスで成膜が可能な有機半導体材料と、これを有機半導体層に用いた有機薄膜トランジスタを提供する。
効果 本発明の有機半導体材料は、十分なキャリア移動度を有し、各種電極材料との化学的、物理的及び電気的接合特性に優れており、かつ、空気や水分への安定性が高いため、有機薄膜トランジスタ用の有機半導体層として実用上総合的な高性能を有し、好適に使用することができる。さらに一般的な有機溶媒への溶解性が高いため、簡便な塗布法によって薄膜を形成できるという利点がある。
比較的低温のプロセスで製造でき、かつ塗布プロセスなどの容易な製造プロセスで成膜が可能であり、生産コストの低減が可能である。
技術概要
式(1)等で表される化合物等を含む有機半導体材料。
(但し、R↓1は、非置換もしくは置換の炭素数3から8の分枝アルキル基、または、非置換もしくは置換の炭素数3から10のシクロアルキル基を表し、R↓2は、水素原子、または、非置換もしくは置換のチオフェン残基、非置換もしくは置換のピロール残基、非置換もしくは置換のフラン残基を少なくとも1つまたは2つ以上組み合わせて構成された構造を表し、Xは、硫黄原子、窒素原子、または、酸素原子を表す。)
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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