半導体の電気伝導特性の非接触測定方法及びその装置

開放特許情報番号
L2013002004
開放特許情報登録日
2013/9/27
最新更新日
2014/5/27

基本情報

出願番号 特願2009-134286
出願日 2009/6/3
出願人 国立大学法人九州工業大学
公開番号 特開2010-281640
公開日 2010/12/16
登録番号 特許第5500621号
特許権者 国立大学法人九州工業大学
発明の名称 半導体の電気伝導特性の非接触測定方法
技術分野 情報・通信
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 半導体の電気伝導特性の非接触測定方法及びその装置
目的 簡単、低コストで効率的に電気伝導率、移動度、及び不純物準位の特定が可能な弾性表面波を用いた半導体の電気伝導特性の非接触測定方法及びその装置を提供する。
効果 簡便な方法で効率的に半導体の電気伝導率を測定することができる。その結果、例えば、シリコン結晶太陽電池の性能を左右する不純物の影響を電気伝導率の測定から評価することができ、シリコン結晶太陽電池の出荷前の性能検査や、使用中のシリコン結晶太陽電池の劣化判定を効率的かつ安価に行うことができる。
技術概要
両側にそれぞれ入力電極及び出力電極を備えた平板状の圧電体の表面で該入力電極及び該出力電極の間の領域に対して、隙間を設けて平板状の半導体を該圧電体に平行に配置する第1工程と、
前記半導体の温度を変化させて、各温度毎に前記入力電極に高周波入力電圧を印加して前記圧電体の表面に弾性表面波を発生させ、該弾性表面波に伴って発生する交流電界を前記半導体に印加しながら該弾性表面波を前記出力電極に向けて移動させて、該出力電極で該弾性表面波による高周波出力電圧を測定する第2工程と、
各温度で測定した前記高周波入力電圧の振幅電圧値V↓(in)及び前記高周波出力電圧の振幅電圧値V↓(out)から、各温度毎に前記弾性表面波が前記入力電極から前記出力電極に移動する際の伝搬率をV↓(out)/V↓(in)として演算し、該伝搬率を用いて前記半導体の電気伝導率の相対値を求める第3工程とを有することを特徴とする半導体の電気伝導特性の非接触測定方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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