電界効果型有機トランジスタ及びその製造方法

開放特許情報番号
L2013001996
開放特許情報登録日
2013/9/27
最新更新日
2013/9/27

基本情報

出願番号 特願2009-205879
出願日 2009/9/7
出願人 国立大学法人九州工業大学
公開番号 特開2011-060828
公開日 2011/3/24
発明の名称 電界効果型有機トランジスタ及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 電界効果型有機トランジスタ及びその製造方法
目的 無機半導体で導入されているHEMT構造素子で用いられているキャリア誘起の機能を電界効果型有機トランジスタに適用して、半導体層に無機材料を用いること無く、簡易にトランジスタ性能を向上させる。
効果 既存の有機半導体材料の電界効果を、該素子構造の導入により簡易に増強させ、電界効果移動度を簡易に向上させることができる。
有機半導体中のチャネル域に効果的にキャリアを誘起し、有機半導体層中での電界効果によるキャリア蓄積を増強することができる。また有機半導体層中に該キャリア誘起材を分散させることでも同様の効果を発揮させることが出来る。
技術概要
有機半導体層の一方の側にゲート絶縁膜を介してゲート電極が形成され、かつ前記有機半導体層の他方の側にソース電極及びドレイン電極が互いに分離して形成される電界効果型有機トランジスタにおいて、
前記有機半導体層の上面、下面、又はその両面に有機系材質層を形成し、或いは前記有機半導体層の内部に有機系材質部材を混合し、
前記有機系材質層或いは有機系材質部材の材質は、有機半導体層と接合するだけでは自発的には電荷移動を生じないが、前記ソース電極、ドレイン電極、或いはゲート電極に電圧がかけられた時にだけ、有機半導体層との間で、電荷移動を生じさせることにより、有機半導体層中にキャリアを注入し或いは誘起する材質から選択されることから成る電界効果型有機トランジスタ。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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