半導体装置及びその駆動方法

開放特許情報番号
L2013001980
開放特許情報登録日
2013/9/27
最新更新日
2015/11/23

基本情報

出願番号 特願2011-111883
出願日 2011/5/18
出願人 国立大学法人九州工業大学
公開番号 特開2012-243918
公開日 2012/12/10
登録番号 特許第5804494号
特許権者 国立大学法人九州工業大学
発明の名称 半導体装置及びその駆動方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 ダイオード構造の半導体装置及びその駆動方法
目的 既存の半導体素子作製技術で製造することが可能で、素子外部にスイッチング回路を持たなくても、順方向電圧降下の平均値に相当する損失を低減し、電源回路全体のエネルギー効率を上げることのできるダイオード構造の半導体装置とその駆動方法を提供する。
また、既存の半導体装置にスイッチング回路を外装することで順方向電圧降下の平均値に相当する損失を低減し、電源回路全体のエネルギー効率を上げることのできる整流モジュールとその駆動方法を提供する。
効果 順方向電圧降下の平均値を低減し、整流素子の低損失化を実現する。
技術概要
アノード電極9とカソード電極3との間に、p型層7と、i層1と、n型層2とを順に形成したダイオード構造の半導体装置において、アノード電極9側に、p型層7と並列に第2n型層8を形成し、順方向バイアス中に、アノード電極9側をp型層7と第2n型層8のいずれかに切り替えるゲート駆動回路10を備えた半導体装置。ゲート電極5は、p型層7と第2p型層6と第2n型層8に接するトレンチ構造4とし、トレンチ内部に絶縁膜4aと電極とを備えたものとすることができる。このゲート電極5は、ゲート駆動回路10から印加するゲート電圧に応じてp型及びn型のチャネルをトレンチ表面に形成する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【有】   
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