半導体回路の電流測定装置

開放特許情報番号
L2013001973
開放特許情報登録日
2013/9/27
最新更新日
2016/1/25

基本情報

出願番号 特願2011-215005
出願日 2011/9/29
出願人 国立大学法人九州工業大学
公開番号 特開2013-076569
公開日 2013/4/25
登録番号 特許第5846421号
特許権者 国立大学法人九州工業大学
発明の名称 半導体回路の電流測定装置
技術分野 情報・通信
機能 機械・部品の製造
適用製品 半導体回路の電流測定、電流測定装置
目的 高密度化されている半導体の電流測定対象の配線を切断・変更する必要がなく、回路パラメータに影響を与えずに電流を測定できる電流測定装置を提供する。
効果 高密度化されている半導体の電流測定対象の配線を切断・変更する必要がなく、回路パラメータに影響を与えずに電流を測定できる電流測定装置が得られる。
コイル間の近接距離の調節幅の自由度を確保し、また、ループによるインダクタンスの影響を最小限に抑えることができる。また、高密度化されている半導体の電流測定対象の配線を切断・変更する必要がなく、回路パラメータに影響を与えずに電流を測定できる電流測定装置が得られる。
本発明は、IGBTその他のパワー半導体回路の電流測定に好適に利用することができる。
技術概要
測定電流から生じる磁束を検出する磁束検出装置と、磁束検出装置の出力電圧を電流波形に変換する積分装置と、電流波形を視覚化する電流波形観測装置とを有し、磁束検出装置10は、ベース基板の両面に導電パターンにより形成した一対の表裏対称な形状をした第1コイルC1と、測定配線を配置する位置に対して第1コイルC1と線対称に第2コイルC2を配置し、第1コイルC1および第2コイルC2のそれぞれの表の巻き終わりの導電パターンと裏の巻き始めの導電パターンの端部間、および第1コイルC1の巻き終わりの導電パターンの端部と第2コイルC2の巻き始めの導電パターンの端部間とを、それぞれベース基板を貫通するスルーホールにより接続した構造とした電流測定装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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