| 出願番号 |
特願2011-215005 |
| 出願日 |
2011/9/29 |
| 出願人 |
国立大学法人九州工業大学 |
| 公開番号 |
特開2013-076569 |
| 公開日 |
2013/4/25 |
| 登録番号 |
特許第5846421号 |
| 特許権者 |
国立大学法人九州工業大学 |
| 発明の名称 |
半導体回路の電流測定装置 |
| 技術分野 |
情報・通信 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
半導体回路の電流測定、電流測定装置 |
| 目的 |
高密度化されている半導体の電流測定対象の配線を切断・変更する必要がなく、回路パラメータに影響を与えずに電流を測定できる電流測定装置を提供する。 |
| 効果 |
高密度化されている半導体の電流測定対象の配線を切断・変更する必要がなく、回路パラメータに影響を与えずに電流を測定できる電流測定装置が得られる。
コイル間の近接距離の調節幅の自由度を確保し、また、ループによるインダクタンスの影響を最小限に抑えることができる。また、高密度化されている半導体の電流測定対象の配線を切断・変更する必要がなく、回路パラメータに影響を与えずに電流を測定できる電流測定装置が得られる。
本発明は、ＩＧＢＴその他のパワー半導体回路の電流測定に好適に利用することができる。 |
技術概要
 |
測定電流から生じる磁束を検出する磁束検出装置と、磁束検出装置の出力電圧を電流波形に変換する積分装置と、電流波形を視覚化する電流波形観測装置とを有し、磁束検出装置１０は、ベース基板の両面に導電パターンにより形成した一対の表裏対称な形状をした第１コイルＣ１と、測定配線を配置する位置に対して第１コイルＣ１と線対称に第２コイルＣ２を配置し、第１コイルＣ１および第２コイルＣ２のそれぞれの表の巻き終わりの導電パターンと裏の巻き始めの導電パターンの端部間、および第１コイルＣ１の巻き終わりの導電パターンの端部と第２コイルＣ２の巻き始めの導電パターンの端部間とを、それぞれベース基板を貫通するスルーホールにより接続した構造とした電流測定装置。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【可】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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