| 出願番号 |
特願2007-095928 |
| 出願日 |
2007/3/31 |
| 出願人 |
国立大学法人九州工業大学 |
| 公開番号 |
特開2008-257760 |
| 公開日 |
2008/10/23 |
| 登録番号 |
特許第4411443号 |
| 特許権者 |
国立大学法人九州工業大学 |
| 発明の名称 |
ＳＲＡＭメモリセルの評価方法及びＳＲＡＭメモリセルの評価プログラム |
| 技術分野 |
情報・通信 |
| 機能 |
検査・検出 |
| 適用製品 |
ＳＲＡＭメモリセルの評価プログラム |
| 目的 |
より短時間でスタティックノイズマージンの評価を行って、ＳＲＡＭメモリセルの設計に要する時間を短縮化可能なＳＲＡＭメモリセルの評価方法及び評価プログラムを提供する。 |
| 効果 |
近似曲線へのフィッティングによって第２の近似曲線関数を特定し、「内接する正方形の一辺の長さ」として規定されるスタティックノイズマージンを、第１の近似曲線関数と第２の近似曲線関数の差分とした差分曲線関数の極値から特定することができる。
したがって、スタティックノイズマージン算出手順が容易化でき、短時間でスタティックノイズマージンが評価されることにより、ＳＲＡＭメモリセルの設計に要する時間を短縮化することができる。 |
技術概要
 |
ＳＲＡＭメモリセルの第１のインバータの入出力特性データに対して座標軸を４５度回転させる座標変換を行い、近似曲線へのフィッティングによって第１の近似曲線関数を特定するとともに、ＳＲＡＭメモリセルの第２のインバータの入出力特性データに対して座標軸を４５度回転させる座標変換を行い、近似曲線へのフィッティングによって第２の近似曲線関数を特定し、前記第２の近似曲線関数をＹ軸に対してミラー反転させた関数である第３の近似曲線関数を特定し、前記第１の近似曲線関数と前記第３の近似曲線関数の差分とした差分曲線関数の極値からスタティックノイズマージンを特定する。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)