SRAMメモリセルの評価方法及びSRAMメモリセルの評価プログラム

開放特許情報番号
L2013001971
開放特許情報登録日
2013/9/27
最新更新日
2013/9/27

基本情報

出願番号 特願2007-095928
出願日 2007/3/31
出願人 国立大学法人九州工業大学
公開番号 特開2008-257760
公開日 2008/10/23
登録番号 特許第4411443号
特許権者 国立大学法人九州工業大学
発明の名称 SRAMメモリセルの評価方法及びSRAMメモリセルの評価プログラム
技術分野 情報・通信
機能 検査・検出
適用製品 SRAMメモリセルの評価プログラム
目的 より短時間でスタティックノイズマージンの評価を行って、SRAMメモリセルの設計に要する時間を短縮化可能なSRAMメモリセルの評価方法及び評価プログラムを提供する。
効果 近似曲線へのフィッティングによって第2の近似曲線関数を特定し、「内接する正方形の一辺の長さ」として規定されるスタティックノイズマージンを、第1の近似曲線関数と第2の近似曲線関数の差分とした差分曲線関数の極値から特定することができる。
したがって、スタティックノイズマージン算出手順が容易化でき、短時間でスタティックノイズマージンが評価されることにより、SRAMメモリセルの設計に要する時間を短縮化することができる。
技術概要
SRAMメモリセルの第1のインバータの入出力特性データに対して座標軸を45度回転させる座標変換を行い、近似曲線へのフィッティングによって第1の近似曲線関数を特定するとともに、SRAMメモリセルの第2のインバータの入出力特性データに対して座標軸を45度回転させる座標変換を行い、近似曲線へのフィッティングによって第2の近似曲線関数を特定し、前記第2の近似曲線関数をY軸に対してミラー反転させた関数である第3の近似曲線関数を特定し、前記第1の近似曲線関数と前記第3の近似曲線関数の差分とした差分曲線関数の極値からスタティックノイズマージンを特定する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【有】   
Copyright © 2017 INPIT