絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板及びその製造方法

開放特許情報番号
L2013001968
開放特許情報登録日
2013/9/27
最新更新日
2013/9/27

基本情報

出願番号 特願2007-278811
出願日 2007/10/26
出願人 国立大学法人九州工業大学
公開番号 特開2009-111007
公開日 2009/5/21
登録番号 特許第5322044号
特許権者 国立大学法人九州工業大学
発明の名称 絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板及びその製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素(SiC)基板
目的 絶縁層埋め込み型半導体の炭化珪素基板において、電子デバイス作製に不可避である低抵抗n型不純物層を形成するための工業的な方法を提案する。
効果 SiC膜/SiO↓2膜/Si基板に窒素イオンを注入する際の熱処理条件として、赤外線照射により10℃/秒以上で昇温し、1200℃以上1410℃未満の温度範囲で、1分以上10分未満の時間範囲で熱処理することにより、n型不純物層を有する絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板を製造することができる。炭化珪素半導体を廉価で提供することができる。
高性能炭化珪素デバイス作製に道を開くものであり、将来的なデバイス作製プロセスにおいても重要な位置づけになる。
技術概要
絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板に、窒素イオン等の5属イオンを注入しn型不純物層を形成させ、次いで熱処理することからなるn型不純物層を有する絶縁層埋め込み型半導体炭化珪素基板の製造方法。熱処理は、好ましくは、1200℃以上1410℃未満の温度範囲で、1分以上10分未満の時間範囲で行われる。また、赤外線照射等の手段を用いて、昇温速度が10℃/秒以上の急速加熱の条件下で行うのが好ましい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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