ホットワイヤー法による基材表面の窒化方法

開放特許情報番号
L2013001958
開放特許情報登録日
2013/9/27
最新更新日
2014/5/27

基本情報

出願番号 特願2008-212634
出願日 2008/8/21
出願人 国立大学法人九州工業大学
公開番号 特開2010-050252
公開日 2010/3/4
登録番号 特許第5493140号
特許権者 国立大学法人九州工業大学
発明の名称 ホットワイヤー法による基材表面の窒化方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品 ホットワイヤー法による基材表面の窒化方法
目的 ホットワイヤー法(ホットワイヤーCVD法)によって、比較的温和な条件下に、半導体や金属等の基材表面を窒化する方法を提供する。
効果 窒素ガスに水素を10%以下という少量加えることにより、水素ラジカル密度が極めて低い雰囲気中で、窒素の分解が容易になり、触媒体(ホットワイヤー触媒)の加熱温度が約1900℃という、従来よりも比較的低い温度で、基材表面に窒化物膜を形成することができる。
本発明によれば、低温でかつ水素ラジカルによる損傷なしに、半導体や金属表面の窒化が可能となり、薄く緻密な高品位な窒化物層を提供することが可能である。従って、例えば、本発明をシリコン表面の窒化に応用すると、半導体プロセス分野で、大変有用な技術になる可能性が高い。
技術概要
窒素含有ガスを加熱された触媒体に接触させ、接触分解反応により生じた化学種を基材表面と反応させ、基材表面に窒化物膜を形成することからなるホットワイヤー法において、窒素含有ガスとして、窒素ガスに10%以下の水素を添加したガスを用いることからなる基材表面の窒化方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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