TN型液晶素子及びその製造方法

開放特許情報番号
L2013001934
開放特許情報登録日
2013/9/25
最新更新日
2015/1/21

基本情報

出願番号 特願2011-547542
出願日 2010/12/20
出願人 学校法人東京理科大学
公開番号 WO2011/078126
公開日 2011/6/30
登録番号 特許第5648925号
特許権者 学校法人東京理科大学
発明の名称 TN型液晶素子及びその製造方法
技術分野 情報・通信
機能 材料・素材の製造
適用製品 TN型液晶素子
目的 TN型液晶の状態で安定であり、かつ、立ち下がりの応答速度が高速化されたTN型液晶素子及びその製造方法を提供する。
効果 TN型液晶の状態で安定であり、かつ、立ち下がりの応答速度が高速化されたTN型液晶素子及びその製造方法を提供することができる。
技術概要
本発明に係るTN型液晶素子は、略平行に配置され、少なくとも一方が透明な1組の基板と、1組の基板の対向面に設けられ、液晶材料中の液晶分子が同一方向を向くように表面に配向処理が施された1組の配向膜と、1組の配向膜の間に配置された、液晶材料及びカイラル剤を含む液晶層と、を備え、1組の配向膜の配向処理方向のなす角αは70〜110度であり、かつ、その配向処理方向は、液晶層が上記なす角αだけねじれていた場合にユニフォームツイスト構造を形成する方向であり、無電界状態で安定なねじれ角α+180(度)のSTN型液晶が、ねじれ角α(度)のTN型液晶として高分子安定化されている。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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