半導体薄膜製造装置及び窒化物半導体の製造方法

開放特許情報番号
L2013001877
開放特許情報登録日
2013/9/11
最新更新日
2015/3/26

基本情報

出願番号 特願2010-199230
出願日 2010/9/6
出願人 学校法人東京理科大学
公開番号 特開2012-059784
公開日 2012/3/22
登録番号 特許第5655199号
特許権者 学校法人東京理科大学
発明の名称 半導体薄膜製造装置及び窒化物半導体の製造方法
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 材料・素材の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 半導体薄膜製造装置及び窒化物半導体の製造方法
目的 基板面内均一性を保ちながら原料利用効率を向上させ、かつ半導体製造コストを削減させた半導体薄膜製造装置及び窒化物半導体の製造方法を提供する。
効果 基板のガス上流端からガス下流端までの間の温度特性をほぼ線形にでき、また、温風の流れも一様にできるため、基板面内均一性を保ちながら原料利用効率を向上させることができる。従って、半導体の製造コストを低減できる。
技術概要
金属源を含むガスと窒素源を含むガスとをキャリアガスで運び、フローチャネル内に導入するガス導入手段と、
該フローチャネル内に配設された基板と、
該基板の周囲において前記ガス導入手段で導入されたガスを加熱又は冷却する加熱等手段と、
前記基板に対峙して配設され、該加熱等手段で加熱又は冷却されたガスの温度を温度特性調整率が所定の範囲内の比率となるように調整する温度特性調整手段とを備えた半導体薄膜製造装置であって、
前記温度特性調整率が、前記温度特性調整手段による制御を行ったときの前記基板のガス上流端での温度と該基板のガス下流端での温度間の差である第1の温度偏差を、該温度特性調整手段による制御の行われないときの前記基板のガス上流端での温度と該基板のガス下流端での温度間の差である第2の温度偏差で除した比率であり、
前記所定の範囲内の比率が15%〜35%であることを特徴とする半導体薄膜製造装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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