光学活性2−ヒドロキシエステルの製造方法及び新規中間体化合物

開放特許情報番号
L2013001865
開放特許情報登録日
2013/9/11
最新更新日
2014/11/20

基本情報

出願番号 特願2011-503808
出願日 2010/3/8
出願人 学校法人東京理科大学
公開番号 WO2010/104034
公開日 2010/9/16
登録番号 特許第5605716号
特許権者 学校法人東京理科大学
発明の名称 光学活性2−ヒドロキシエステルの製造方法
技術分野 有機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 光学活性2−ヒドロキシエステルの製造方法及び新規中間体化合物
目的 ラセミの2−ヒドロキシエステルを基質として速度論的光学分割を行うことにより、光学活性2−ヒドロキシエステルを高効率に製造する方法を提供する。また、そのような方法によって製造し得る新規中間体化合物を提供する。
効果 ラセミの2−ヒドロキシエステルを基質として速度論的光学分割を行うことにより、光学活性2−ヒドロキシエステルを高効率に製造することができる。また、そのような方法によって製造し得る新規中間体化合物を提供することができる。
技術概要
 
下記式(a)〜(d)のいずれかで表される触媒と、カルボン酸無水物、又はカルボン酸無水物及びカルボン酸とを含む溶媒中で、ラセミの2−ヒドロキシエステルのうち一方のエナンチオマーを選択的にエステル化する光学活性2−ヒドロキシエステルの製造方法であって、
前記溶媒中にカルボン酸無水物が含まれカルボン酸が含まれない場合、該カルボン酸無水物はα位が3級炭素原子又は4級炭素原子であるカルボン酸の無水物であり、
前記溶媒中にカルボン酸無水物及びカルボン酸が含まれる場合、該カルボン酸はα位が3級炭素原子又は4級炭素原子であることを特徴とする光学活性2−ヒドロキシエステルの製造方法。
(式(a)〜(d)中、Xは下記添付図2の置換基のいずれかを示し、Rは保護基を示す。)
イメージ図
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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