積層キャパシター及び積層キャパシターの製造方法

開放特許情報番号
L2013001847
開放特許情報登録日
2013/9/5
最新更新日
2015/10/2

基本情報

出願番号 特願2012-551405
出願日 2012/10/25
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 WO2013/073357
公開日 2013/5/23
登録番号 特許第5232963号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 積層キャパシター及び積層キャパシターの製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 積層キャパシター及び積層キャパシターの製造方法
目的 酸化物を少なくとも誘電体層に適用した積層キャパシターの高性能化、又はそのような積層キャパシターの製造プロセスの簡素化と省エネルギー化を実現する。
効果 平坦性が優れた誘電体層を有する、電極層と誘電体層とが交互に少なくとも2回積み重ねられた構造を一部に備える積層キャパシターが実現される。
また、比較的簡素な処理によって第1酸化物層及び第2酸化物層が形成されるため、工業性ないし量産性に優れた積層キャパシターの製造方法を提供することができる。
技術概要
本発明の1つの積層キャパシター100は、電極層20a,・・・,20eと誘電体層30a,・・・,30dとが交互に少なくとも2回積み重ねられた構造を一部に備えている。さらに積層キャパシター100は、誘電体層30a,・・・,30dが、ビスマスとニオブとからなる酸化物、又はビスマスと亜鉛とニオブとからなる酸化物(不可避不純物を含み得る)によって構成される第1酸化物層と、ランタンとタンタルとからなる酸化物、ランタンとジルコニウムとからなる酸化物、及びストロンチウムとタンタルとからなる酸化物の群から選択される1種の酸化物(不可避不純物を含み得る)によって構成される第2酸化物層との積層酸化物からなる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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