| 出願番号 |
特願2012-139897 |
| 出願日 |
2012/6/21 |
| 出願人 |
独立行政法人科学技術振興機構 |
| 公開番号 |
特開2014-005158 |
| 公開日 |
2014/1/16 |
| 登録番号 |
特許第5246900号 |
| 特許権者 |
国立研究開発法人科学技術振興機構 |
| 発明の名称 |
酸化マグネシウム薄膜の作成方法 |
| 技術分野 |
無機材料、金属材料、機械・加工 |
| 機能 |
材料・素材の製造、制御・ソフトウェア |
| 適用製品 |
酸化マグネシウム薄膜の作成方法及び処理板 |
| 目的 |
平坦なＭｇＯ（１１１）面を簡易な手法で作成できる作成方法及び平坦なＭｇＯ（１１１）面を有する処理板を提供する。 |
| 効果 |
本発明の種々の側面及び実施形態によれば、簡易な手法で平坦なＭｇＯの（１１１）面を得ることができる。
本実施形態に係る処理板は新たなエレクトロニクス薄膜成長用の基板として有用である。環境汚染を心配する必要がない。電気伝導度の変化から、生体分子を検出することができ、診断薬、検査薬として使用することができる。
そして、ＣＯ２を効率よく吸着すること、ＣＯ２を容易に貯蔵すること、さらに、ＣＯ２を有効に利用することができる。 |
技術概要
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レーザアブレーション法により酸化マグネシウムの焼結体又は単結晶をターゲットとして用いて酸化マグネシウム薄膜３を基板２上に堆積する方法である。この方法では、（１１１）面を主面２ａとするチタン酸ストロンチウムまたは（１１１）面を主面２ａとするイットリア安定化ジルコニアからなる基板２を用い、前記基板２の前記主面２ａ上に膜を直接堆積しエピタキシャル成長させることによって（１１１）面を表面３ａとする酸化マグネシウムからなる平坦な処理膜３を作成する。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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