酸化マグネシウム薄膜の作成方法

開放特許情報番号
L2013001846
開放特許情報登録日
2013/9/5
最新更新日
2015/10/2

基本情報

出願番号 特願2012-139897
出願日 2012/6/21
出願人 独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 特開2014-005158
公開日 2014/1/16
登録番号 特許第5246900号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 酸化マグネシウム薄膜の作成方法
技術分野 無機材料、金属材料、機械・加工
機能 材料・素材の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 酸化マグネシウム薄膜の作成方法及び処理板
目的 平坦なMgO(111)面を簡易な手法で作成できる作成方法及び平坦なMgO(111)面を有する処理板を提供する。
効果 本発明の種々の側面及び実施形態によれば、簡易な手法で平坦なMgOの(111)面を得ることができる。
本実施形態に係る処理板は新たなエレクトロニクス薄膜成長用の基板として有用である。環境汚染を心配する必要がない。電気伝導度の変化から、生体分子を検出することができ、診断薬、検査薬として使用することができる。
そして、CO2を効率よく吸着すること、CO2を容易に貯蔵すること、さらに、CO2を有効に利用することができる。
技術概要
レーザアブレーション法により酸化マグネシウムの焼結体又は単結晶をターゲットとして用いて酸化マグネシウム薄膜3を基板2上に堆積する方法である。この方法では、(111)面を主面2aとするチタン酸ストロンチウムまたは(111)面を主面2aとするイットリア安定化ジルコニアからなる基板2を用い、前記基板2の前記主面2a上に膜を直接堆積しエピタキシャル成長させることによって(111)面を表面3aとする酸化マグネシウムからなる平坦な処理膜3を作成する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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