液晶素子

開放特許情報番号
L2013001795
開放特許情報登録日
2013/8/27
最新更新日
2013/8/27

基本情報

出願番号 特願2008-170783
出願日 2008/6/30
出願人 学校法人東京理科大学
公開番号 特開2010-008911
公開日 2010/1/14
登録番号 特許第5093779号
特許権者 学校法人東京理科大学
発明の名称 液晶素子
技術分野 情報・通信
機能 機械・部品の製造
適用製品 液晶素子
目的 低電圧化の程度が大きく、かつ安定性にすぐれた液晶素子を提供する。
効果 低電圧で駆動可能なTN構造の液晶素子を実現することができ、リバースTN構造の液晶素子の正面での透過率を改善することができる。
技術概要
略平行に配置され少なくとも一方が透明な1組の基板と、それぞれの基板の内側に配設された1組の配向膜と、上記1組の配向膜の間に充填された液晶材料を備え、上記配向膜の表面に上記液晶材料中の液晶分子が同一方向に向くように配向処理が施され、両配向膜に施された配向処理の方向のなす角が70度から110度である液晶素子であって、上記1組の配向膜の配向処理の方向の組み合わせでユニフォームツイスト構造を形成するときの液晶分子の捩じれ方向に対して反対方向の捩じれ方向を与える螺旋ピッチを有する光学活性物質を上記液晶材料が含有し、上記液晶分子がユニフォームツイスト構造を形成する液晶素子において、上記配向膜に対する上記液晶分子のプレチルト角が10度以上かつ電場無印加時にダブルツイスト構造を形成する角度θph以下であることと、上記螺線ピッチpと液晶層の厚みdの比が2<p/d<12であることを特徴とする液晶素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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