抵抗変化型不揮発性記憶素子の書き込み回路

開放特許情報番号
L2013001747
開放特許情報登録日
2013/8/20
最新更新日
2015/8/19

基本情報

出願番号 特願2011-178591
出願日 2011/8/17
出願人 国立大学法人金沢大学
公開番号 特開2013-041649
公開日 2013/2/28
登録番号 特許第5765808号
特許権者 国立大学法人金沢大学
発明の名称 抵抗変化型不揮発性記憶素子の多値書き込み回路
技術分野 情報・通信
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 抵抗変化型の不揮発性記憶素子の書き込み回路
目的 簡素で、かつ、高速に、自立的に多重書き込みを回避した書き込みをすることができる抵抗変化型不揮発性記憶素子の書き込み回路を提供する。
効果 本発明に係る抵抗変化型不揮発性記憶素子の書き込み回路等によれば、簡素で、かつ、高速に、自立的に多重書き込みを回避した書き込みをすることができる抵抗変化型不揮発性記憶素子の書き込み回路等が実現される。
抵抗変化型不揮発性記憶素子の書き込み回路及び多値書き込み回路として、特に、大容量、高速動作及び低消費電力の不揮発性メモリが必要とされる電子機器用の不揮発性メモリの書き込み回路として、利用できる。
技術概要
抵抗変化型の不揮発性記憶素子に対する書き込み回路であって、
前記不揮発性記憶素子が高抵抗状態にある場合にだけ前記不揮発性記憶素子を低抵抗状態に遷移させるための電圧を前記不揮発性記憶素子に印加し、前記不揮発性記憶素子が低抵抗状態にある場合にだけ前記不揮発性記憶素子を高抵抗状態に遷移させるための電圧を前記不揮発性記憶素子に印加する
書き込み回路。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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