不揮発性記憶素子及びその制御方法

開放特許情報番号
L2013001731
開放特許情報登録日
2013/8/20
最新更新日
2014/3/27

基本情報

出願番号 特願2010-049389
出願日 2010/3/5
出願人 国立大学法人金沢大学
公開番号 特開2011-187109
公開日 2011/9/22
登録番号 特許第5454784号
特許権者 国立大学法人金沢大学
発明の名称 不揮発性記憶素子及びその制御方法
技術分野 情報・通信、電気・電子
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 高速動作可能なSRAMを用いた不揮発性記憶素子及びその制御方法
目的 故障率及び消費電力を充分に低くすることができる不揮発性記憶素子及びその制御方法を提供する。
効果 故障率及び消費電力を充分に低くすることができ、コンピュータ及び携帯電話などに搭載される各種メモリなどに利用することができる。
技術概要
複数のメモリセルが配列された不揮発性記憶素子100であって、複数のメモリセルのそれぞれは、端子Aと端子Bとを有するインバータ部と、端子Aとビット線140との導通及び非導通を切り替える選択トランジスタ120と、端子Bとビット線141との導通及び非導通を切り替える選択トランジスタ121と、一端が端子Aに接続された固定抵抗130と、固定抵抗130の他端と信号線144との導通及び非導通を切り替える制御トランジスタ122と、一端が端子Bに接続され、固定抵抗130より高抵抗又は低抵抗となることが可能な可変抵抗131と、可変抵抗131の他端と信号線144との導通及び非導通を切り替える制御トランジスタ123とを備える。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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