ハイドライド気相成長法による平坦な無極性a面窒化ガリウムの成長

開放特許情報番号
L2013001725
開放特許情報登録日
2013/8/15
最新更新日
2015/10/2

基本情報

出願番号 特願2004-564675
出願日 2003/7/15
出願人 ザ リージェンツ オブ ザ ユニバーシティ オブ カリフォルニア、独立行政法人科学技術振興機構
公開番号 WO2004/061969
公開日 2004/7/22
登録番号 特許第5252465号
特許権者 国立研究開発法人科学技術振興機構
発明の名称 ハイドライド気相成長法による平坦な無極性a面窒化ガリウムの成長
技術分野 電気・電子、金属材料、無機材料
機能 材料・素材の製造、鋳造・鍛造
適用製品 半導体材料、方法およびデバイス
目的 基板上に平坦な無極性a面窒化ガリウム(GaN)膜を形成する方法を提供する。
効果 キャリアガス流中の水素を利用する低圧成長を適用すれば、HVPEによって完全に平坦なa面GaN膜を成長させることができる。これによって得られる膜は、種々の成長技術によって素子を順次再成長させるのに適している。
多数のウェハ上に膜を同時に成長させることができる。
自立a面GaN膜または基板を製造するために使用することができる。
技術概要
ハイドライド気相成長法(HVPE)を使用し、平坦な無極性a面窒化ガリウム(GaN)膜を成長させる。具体的には、いくつかの成長パラメータを組合せ使用することによって、この平坦な無極性a面窒化ガリウム(GaN)膜を得る。
1.適切な基板、たとえば、これに限定されるものではないが、r面サファイア(A1↓2 O↓3 )基板を使用する。
2.最終成長段階のキャリアガスとして少量の水素(H↓2 )をリアクタ中のガス流の一つ以上に使用する。
3.膜堆積工程時にリアクタ圧を大気圧(760Torr)未満に低下させる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

アピール情報

登録者情報

登録者名称 国立研究開発法人科学技術振興機構

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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