半導体集積回路装置及び電子装置

開放特許情報番号
L2013001652
開放特許情報登録日
2013/8/12
最新更新日
2013/8/12

基本情報

出願番号 特願2006-175899
出願日 2006/6/26
出願人 パナソニック株式会社
公開番号 特開2007-135185
公開日 2007/5/31
登録番号 特許第4814705号
特許権者 パナソニック株式会社
発明の名称 半導体集積回路装置及び電子装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 半導体集積回路装置
目的 任意に設定したリーク電流検出倍率が電源電圧や温度や製造ばらつきに依存せず、且つリーク電流の検出が容易なリーク電流検出回路を持った半導体集積回路装置及び電子装置を提供する。
効果 任意に設定したリーク電流検出倍率が電源電圧や温度や製造ばらつきに依存せず、検出が容易で、基板電圧制御に対する応答が速いリーク電流検出回路で構成されたMISトランジスタの閾値電圧を制御する半導体集積回路装置を小さな面積で実現することができる。また、リーク電流検出回路を低消費電力化することも可能となる。さらに、任意のシステムクロック周波数又は電源電圧に対して閾値電圧を任意に設定することができるようになる。
技術概要
半導体集積回路装置100は、2つのNchMISトランジスタの中間から安定した電位V↓(g2)を取り出し、その電位をゲート電位とするNchMOSトランジスタT↓(n5)のドレイン電流を、カレントミラー回路112を利用して任意の倍率の電流値に増幅し、ゲートとドレインを接続したNchMOSトランジスタT↓(n2)にその電流値を流し、そのNchMOSトランジスタT↓(n2)のドレイン電位V↓(g1)をリーク電流検出NchMOSトランジスタT↓(n1)のゲートに印加する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【有】   
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