絶縁物/半導体界面の評価方法及び評価装置

開放特許情報番号
L2013001607
開放特許情報登録日
2013/8/5
最新更新日
2016/4/19

基本情報

出願番号 特願2011-175232
出願日 2011/8/10
出願人 国立大学法人京都大学
公開番号 特開2013-038340
公開日 2013/2/21
登録番号 特許第5881037号
特許権者 国立大学法人京都大学
発明の名称 絶縁物/半導体界面の評価方法及び評価装置
技術分野 電気・電子
機能 検査・検出、機械・部品の製造
適用製品 絶縁膜/SiC半導体界面欠陥の評価技術
目的 MISあるいはMOS界面の欠陥密度(界面準位密度)を簡便かつ高い精度で求める。
効果 MISあるいはMOS界面の欠陥密度(界面準位密度)を簡便(高速)かつ高い精度で得ることができる。
また、不連続なデータになることなく、連続的なエネルギー分布を得ることができるため、精密な解析結果を得ることができる。
技術概要
絶縁物/半導体界面における界面欠陥に起因する容量C↓(IT)が無視できる程度の高周波におけるC−V特性を元に、酸化膜容量の影響を排除した半導体容量(C↓D+C↓(IT))を計算するステップと、1/(C↓D+C↓(IT))↑2を低周波(準静電的)C−V特性から計算される表面ポテンシャルψsに対してプロットするステップと、ψs−1/(C↓D+C↓(IT))↑2プロットの外挿値が原点を通るように定数項を定めることにより、表面ポテンシャルψsの絶対値を確定するステップと、を有することを特徴とする絶縁物/半導体界面の評価方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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