Siインゴット結晶の製造方法

開放特許情報番号
L2013001597
開放特許情報登録日
2013/8/5
最新更新日
2013/12/20

基本情報

出願番号 特願2011-093418
出願日 2011/4/19
出願人 国立大学法人京都大学
公開番号 特開2012-224505
公開日 2012/11/15
登録番号 特許第5398775号
特許権者 国立大学法人京都大学
発明の名称 Siインゴット結晶の製造方法
技術分野 化学・薬品
機能 材料・素材の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 Siインゴット結晶の製造方法
目的 Siインゴット結晶の製造に際し、融液内成長においてSiインゴット結晶を大きく成長させることができるとともに、歪みが十分低減され、かつ生産効率が良いSiインゴット結晶の製造方法を提供する。
効果 (1)融液内成長においてSiインゴット結晶を大きく成長させることができる。
(2)浮遊させたSi種結晶を用いた製造方法の中では、最も結晶歪みに起因する転位密度を低減できる。
(3)インゴット成長に用いられなかった残留Si融液を準高品質なインゴット結晶として利用することができるため、Si原料の利用効率が良い。
(4)残留Si融液を複数回同じ工程で再使用したり、Si融液を複数個用意して本工程を順次行うことができるため、生産効率が良い。
技術概要
Siインゴット結晶のルツボ融液内成長において、融液上部よりも下部の方が高温となる温度分布を有するSi融液の表面近傍でSi種結晶を用いて核形成させ、Si種結晶からSi融液の表面に沿って又は内部に向かってインゴット結晶を成長させる第1の工程と、成長したインゴット結晶の一部を融液内から融液と分離しない程度に引き上げる第2の工程と、融液内に残った結晶からSi融液の表面に沿って又は内部に向かってインゴット結晶を引き続き成長させる第3の工程とを含み、上記第2及び第3の工程を順次複数回繰り返してインゴット結晶を成長させる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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