リン系化合物半導体の製造方法

開放特許情報番号
L2013001592
開放特許情報登録日
2013/8/5
最新更新日
2015/1/21

基本情報

出願番号 特願2011-067091
出願日 2011/3/25
出願人 国立大学法人京都大学
公開番号 特開2012-201545
公開日 2012/10/22
登録番号 特許第5641348号
特許権者 国立大学法人京都大学
発明の名称 リン系化合物半導体の製造方法
技術分野 化学・薬品、電気・電子
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 リン系化合物半導体の製造方法
目的 リン系化合物半導体の原料としてホスフィンおよびオキシ塩化リンを使用しないで、高圧に加圧することなく効率よくリン系化合物半導体を製造することができるリン系化合物半導体の製造方法を提供する。
効果 リン系化合物半導体の原料としてホスフィンおよびオキシ塩化リンを使用しないで、高圧に加圧することなく効率よくリン系化合物半導体を製造することができる。
技術概要
ルテニウム単体とマンガン単体の混合物を溶融して両者の単相固溶体を作製し、該単相固溶体を、硫酸、硫酸アンモニウム等のマンガンを選択的に溶解する溶液に浸漬する。或いは、更に電解を行ってもよい。これにより、該単相固溶体中からマンガンが選択的に除去され、ルテニウム多孔質体が得られる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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