半導体素子及び半導体素子の製造方法

開放特許情報番号
L2013001588
開放特許情報登録日
2013/8/5
最新更新日
2013/8/5

基本情報

出願番号 特願2011-059992
出願日 2011/3/18
出願人 国立大学法人京都大学
公開番号 特開2012-195519
公開日 2012/10/11
発明の名称 半導体素子及び半導体素子の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 半導体素子及び半導体素子の製造方法、高耐圧構造を有する半導体技術
目的 SiC半導体構造において、不純物添加工程におけるプロセス条件のばらつきがあっても、逆方向耐圧に大きな影響を与えない新たなターミネーション構造(接合終端構造)を提供する。
また、このような技術に基づいて、安定した逆方向耐圧を有するSiC半導体製造技術を提供する。
効果 SiC半導体素子において、不純物添加工程や表面保護膜の形成におけるプロセス条件のばらつきがあっても、逆方向耐圧に大きな影響を与えない新たなターミネーション構造(接合終端構造)が得られる。
また、このような技術に基づいて、安定した逆方向耐圧を有するSiC半導体素子製造技術を提供することができる。
本発明は、高耐圧のSiC半導体素子、GaNなどの半導体素子に利用可能である。
技術概要
素子の外周端部に、第1導電型の耐圧維持層および有限長さの前記第1導電型とは異なる第2導電型の領域からなる接合終端構造を備えたSiC半導体素子であって、前記接合終端構造の一部において、第1の方向である層方向に対して均一ではなく、前記接合終端領域の内側端であって前記素子の外周端から前記接合終端領域の外側端に向かって、前記第1導電型領域の不純物濃度が空間的に変調され、不純物濃度が徐々に減少する傾向を持って形成された接合終端構造を有することを特徴とするSiC半導体素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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