炭化ケイ素基板の製造方法

開放特許情報番号
L2013001561
開放特許情報登録日
2013/8/5
最新更新日
2013/8/5

基本情報

出願番号 特願2006-229399
出願日 2006/8/25
出願人 国立大学法人京都大学
公開番号 特開2008-053537
公開日 2008/3/6
登録番号 特許第5131675号
特許権者 国立大学法人京都大学
発明の名称 炭化ケイ素基板の製造方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 炭化ケイ素(SiC)基板の製造方法
目的 スパイラルピットが少なく、表面の平坦性に優れるSiC基板およびその製造方法を提供する。
効果 高コストとなる仕上げ研磨を省略することができ、仕上げ研磨による形状崩れのないSiC基板を提供することができる。また、スパイラルピットの少ないSiC基板を提供することができるため、窒化物半導体層を形成する基板表面の平坦性を向上させることができる。
技術概要
本発明は、半導体層を形成する主面が、平坦なテラスと段差とからなるステップテラス構造を有する炭化ケイ素基板の製造方法であって、原料基板の主面の面方位を(0001)面から0.03°〜1°傾斜させ、1250℃〜1700℃で水素ガスエッチングを行なう。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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