フォトダイオード及びそれを含む撮像素子

開放特許情報番号
L2013001461
開放特許情報登録日
2013/7/22
最新更新日
2013/7/22

基本情報

出願番号 特願2011-050690
出願日 2011/3/8
出願人 国立大学法人静岡大学
公開番号 特開2012-190848
公開日 2012/10/4
発明の名称 フォトダイオード及びそれを含む撮像素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 フォトダイオード及びそれを含む撮像素子
目的 リーク電流が低減された高効率及び高速な光電変換を実現しつつ、製造工程も簡素化すること。
効果 リーク電流が低減された高効率及び高速な光電変換を実現しつつ、製造工程も簡素化することができる。
半導体層における空乏層厚さが薄い場合でも入射光の光電変換における量子効率が向上するので、量子効率の向上と動作速度の向上とを両立させることができる。
リーク電流の発生を低減しつつ、量子効率をさらに向上させることができる。さらに、回折格子部の構造が単純にされているので、フォトダイオードの製造工程も簡素化することができる。
技術概要
このフォトダイオード1は、半導体又は金属から成る基板2と、基板2上に形成された埋め込み絶縁層3と、埋め込み絶縁層3上の所定領域に沿って並んで形成されたp型半導体層6及びn型半導体層7を含む半導体層5,6,7と、半導体層5,6,7上に形成されたゲート絶縁層8と、ゲート絶縁層8上に配置され、平面状の金属膜9aに直線状の貫通溝9bが等間隔に形成された回折格子部9と、を備える。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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