シリコン細線光導波路の加工方法

開放特許情報番号
L2013001450
開放特許情報登録日
2013/7/22
最新更新日
2017/8/31

基本情報

出願番号 特願2015-508112
出願日 2014/1/20
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 WO2014/156233
公開日 2014/10/2
登録番号 特許第6132369号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 シリコン系細線光導波路の加工方法
技術分野 情報・通信
機能 材料・素材の製造
適用製品 シリコン系細線光導波路の加工方法
目的 従来のシリコン系細線光導波路の加工方法を改善し、高エネルギーのイオン照射によるシリコン系細線光導波路の光伝搬損失を低減するとともに、セルフアライメント的かつ立体的に湾曲したシリコン系細線光導波路の端部を得ることができるシリコン系細線光導波路の加工方法を提供する。
効果 本発明によれば、少なくともシリコン系細線光導波路の端部の全部又は一部を除くシリコン系細線光導波路は、保護膜によりイオンの侵入から保護されているため、シリコン系細線光導波路の光伝搬損失は大幅に低減される。
しかも、セルフアライメント的かつ立体的に湾曲したシリコン系細線光導波路の端部を得ることができる。
技術概要
支持層を介して複数のシリコン系細線光導波路が形成された光回路基板を用意する工程と、シリコン系細線光導波路のうち端部を有する所望のシリコン系細線光導波路に対して、該シリコン系細線光導波路の端部の下の支持層を除去する工程と、該シリコン系細線光導波路の端部を除いた該シリコン系細線光導波路の上に保護膜を選択的に形成する工程と、該シリコン系細線光導波路に対して特定の方向からイオンを打ち込むことにより、該特定の方向にセルフアライメント的に該シリコン系細線光導波路の端部を湾曲させる工程とを備えたシリコン系細線光導波路の加工方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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