結晶軸配向性とファセット(結晶面)を制御した微結晶構造窒化物半導体光・電子素子

開放特許情報番号
L2013001432
開放特許情報登録日
2013/7/18
最新更新日
2013/7/18

基本情報

出願番号 特願2007-279078
出願日 2007/10/26
出願人 国立大学法人 千葉大学
公開番号 特開2009-111019
公開日 2009/5/21
登録番号 特許第5115925号
特許権者 国立大学法人 千葉大学
発明の名称 結晶軸配向性とファセット(結晶面)を制御した微結晶構造窒化物半導体光・電子素子
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 半導体電子素子
目的 安価で大面積化が容易な多結晶窒化物半導体基板を用いて、新規高効率光素子構造とその作製手法を提供する。
効果 新規な多結晶半導体光素子を提供することができる。
本発明に係る半導体光素子は、LEDや太陽電池として産業上利用可能である。また更に、受光素子や電子デバイス等広範な分野においても利用が可能である。
技術概要
それぞれ異なる結晶面(ファセット)を有する結晶粒から成る多結晶もしくは微結晶窒化物半導体(以後単に多結晶窒化物半導体)を基体としており、各結晶粒のファセットがランダムになることを利用した、もしくはその構造を制御することを特徴とした半導体電子素子とする。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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