SiC半導体ウエーハ熱処理装置

開放特許情報番号
L2013001370
開放特許情報登録日
2013/7/5
最新更新日
2014/8/27

基本情報

出願番号 特願2010-164010
出願日 2010/7/21
出願人 学校法人関西学院
公開番号 特開2012-028446
公開日 2012/2/9
登録番号 特許第5561676号
特許権者 学校法人関西学院
発明の名称 SiC半導体ウエーハ熱処理装置
技術分野 電気・電子、無機材料、金属材料
機能 材料・素材の製造、機械・部品の製造
適用製品 熱処理装置
目的 被処理物を加熱処理する雰囲気をSi蒸気圧下又は真空下に自在に制御してグラフェン半導体ウエーハやSiC半導体ウエーハの製造を可能とするSiC半導体ウエーハ熱処理装置を提供する。
効果 本加熱室内の空間を前記基板の表面に平行な面で切断した断面の温度を一様にすることができ、前記基板の表面に垂直な方向で温度を異ならせたり均一にしたりすることができる。
良好な環境下で加熱処理を行うことができる。
高い温度での熱処理に最適な熱反射金属板を提供できる。
グラフェン層形成工程等を行うことにより、効率的に半導体ウエーハを製造することができる。
技術概要
SiC半導体ウエーハ熱処理装置は、本加熱室21と、加熱装置33と、坩堝2の密閉度合を調整して坩堝2内のSiの圧力を調整可能な構成と、を備える。本加熱室21には、基板が収容された坩堝2が導入される。加熱装置33は、基板を900℃以上2400℃以下の温度に加熱可能であり、本加熱室21内の空間を基板の表面に平行な面で切断した断面の温度を一様にすることができ、基板の表面に垂直な方向で温度を異ならせたり均一にしたりすることができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【有】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 学校法人関西学院

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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