| 出願番号 |
特願2010-164010 |
| 出願日 |
2010/7/21 |
| 出願人 |
学校法人関西学院 |
| 公開番号 |
特開2012-028446 |
| 公開日 |
2012/2/9 |
| 登録番号 |
特許第5561676号 |
| 特許権者 |
学校法人関西学院 |
| 発明の名称 |
ＳｉＣ半導体ウエーハ熱処理装置 |
| 技術分野 |
電気・電子、無機材料、金属材料 |
| 機能 |
材料・素材の製造、機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
熱処理装置 |
| 目的 |
被処理物を加熱処理する雰囲気をＳｉ蒸気圧下又は真空下に自在に制御してグラフェン半導体ウエーハやＳｉＣ半導体ウエーハの製造を可能とするＳｉＣ半導体ウエーハ熱処理装置を提供する。 |
| 効果 |
本加熱室内の空間を前記基板の表面に平行な面で切断した断面の温度を一様にすることができ、前記基板の表面に垂直な方向で温度を異ならせたり均一にしたりすることができる。
良好な環境下で加熱処理を行うことができる。
高い温度での熱処理に最適な熱反射金属板を提供できる。
グラフェン層形成工程等を行うことにより、効率的に半導体ウエーハを製造することができる。 |
技術概要
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ＳｉＣ半導体ウエーハ熱処理装置は、本加熱室２１と、加熱装置３３と、坩堝２の密閉度合を調整して坩堝２内のＳｉの圧力を調整可能な構成と、を備える。本加熱室２１には、基板が収容された坩堝２が導入される。加熱装置３３は、基板を９００℃以上２４００℃以下の温度に加熱可能であり、本加熱室２１内の空間を基板の表面に平行な面で切断した断面の温度を一様にすることができ、基板の表面に垂直な方向で温度を異ならせたり均一にしたりすることができる。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【有】 |
| 特許権譲渡 |
【否】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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