単結晶炭化ケイ素基板

開放特許情報番号
L2013001369
開放特許情報登録日
2013/7/5
最新更新日
2013/11/29

基本情報

出願番号 特願2012-185253
出願日 2012/8/24
出願人 学校法人関西学院
公開番号 特開2012-224546
公開日 2012/11/15
登録番号 特許第5376477号
特許権者 学校法人関西学院
発明の名称 単結晶炭化ケイ素基板
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 単結晶炭化ケイ素(SiC)基板
目的 単結晶炭化ケイ素種結晶小片を水平方向に液相エピタキシャル成長させた面積の大きい単結晶炭化ケイ素基板を提供する。
効果 単結晶SiC種結晶板13bを多結晶SiC基板5の表面上に配置し、単結晶SiC液相エピタキシャル成長を水平方向に行うことで面積の大きな単結晶SiC基板13cを生成することができる。
技術概要
単結晶炭化ケイ素基板13bは、表面を局部的に炭化処理した多結晶炭化ケイ素基板5と多結晶炭化ケイ素基板5とを金属シリコン融液12を介して近接対向配置させた多結晶炭化ケイ素基板の複合体を収納容器に収納して加熱処理を行い、多結晶炭化ケイ素基板15の炭化処理面11に単結晶炭化ケイ素を液相成長により自己成長させて単結晶炭化ケイ素種結晶小片13aを生成し、更に液相成長を継続することで、単結晶炭化ケイ素種結晶小片13aを前記対向方向と直交する方向に液相エピタキシャル成長させて生成されており、その外周部に面方向に結晶成長した部分を有する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 学校法人関西学院

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT