目的
単結晶炭化ケイ素種結晶小片を水平方向に液相エピタキシャル成長させた面積の大きい単結晶炭化ケイ素基板を提供する。
効果
単結晶ＳｉＣ種結晶板１３ｂを多結晶ＳｉＣ基板５の表面上に配置し、単結晶ＳｉＣ液相エピタキシャル成長を水平方向に行うことで面積の大きな単結晶ＳｉＣ基板１３ｃを生成することができる。
技術概要
単結晶炭化ケイ素基板１３ｂは、表面を局部的に炭化処理した多結晶炭化ケイ素基板５と多結晶炭化ケイ素基板５とを金属シリコン融液１２を介して近接対向配置させた多結晶炭化ケイ素基板の複合体を収納容器に収納して加熱処理を行い、多結晶炭化ケイ素基板１５の炭化処理面１１に単結晶炭化ケイ素を液相成長により自己成長させて単結晶炭化ケイ素種結晶小片１３ａを生成し、更に液相成長を継続することで、単結晶炭化ケイ素種結晶小片１３ａを前記対向方向と直交する方向に液相エピタキシャル成長させて生成されており、その外周部に面方向に結晶成長した部分を有する。
基本情報
開放特許情報
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