| 出願番号 |
特願2012-232319 |
| 出願日 |
2012/10/19 |
| 出願人 |
学校法人関西学院 |
| 公開番号 |
特開2013-033995 |
| 公開日 |
2013/2/14 |
| 登録番号 |
特許第5494992号 |
| 特許権者 |
学校法人関西学院 |
| 発明の名称 |
三次元微細加工基板 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
材料・素材の製造 |
| 適用製品 |
三次元微細加工基板 |
| 目的 |
高密度かつ複雑な三次元微細構造の加工を可能にする。 |
| 効果 |
微細構造単位が縦横に並ぶ三次元微細構造を容易に形成できる。
高密度のパターンであっても、ＭＢＥ法の成長条件を制御して表面原子拡散長を制御することにより、III−Ｖ族化合物結晶の選択成長を容易に行うことができる。また、結晶成長方向の結晶膜厚を一定に揃えることも容易である。更に、III−Ｖ族化合物の成長結晶は、その根元部において壁の立ち上がりが良好であり、高精度の微細構造を形成することができる。 |
技術概要
 |
基板上の三次元微細構造は、以下の方法で作製される。第１工程では、真空中でIII−Ｖ族化合物半導体基板１の表面に電子ビームを照射することにより、当該基板１の表面の自然酸化膜２をIII族酸化物３に置換させ、改質マスク部３を周期的に形成する。第２工程では、真空中で前記基板１を昇温させることにより、前記改質マスク部３以外の部分の前記自然酸化膜２を脱離させて基板表面を露出させる。第３工程では、真空にＶ族原料を供給した環境下で前記基板１を所定温度で加熱することで、前記基板表面の露出部分からIII族原子を優先的に剥離させて前記改質マスク部３上をホッピングさせ、当該露出部分に窪み４を形成する。第４工程では、固体成長原料を用いた分子線エピタキシャル成長法を行うことで、前記窪み４の部分にIII−Ｖ族化合物半導体結晶５を選択成長させる。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【可】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
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