三次元微細加工基板

開放特許情報番号
L2013001368
開放特許情報登録日
2013/7/5
最新更新日
2014/5/27

基本情報

出願番号 特願2012-232319
出願日 2012/10/19
出願人 学校法人関西学院
公開番号 特開2013-033995
公開日 2013/2/14
登録番号 特許第5494992号
特許権者 学校法人関西学院
発明の名称 三次元微細加工基板
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 三次元微細加工基板
目的 高密度かつ複雑な三次元微細構造の加工を可能にする。
効果 微細構造単位が縦横に並ぶ三次元微細構造を容易に形成できる。
高密度のパターンであっても、MBE法の成長条件を制御して表面原子拡散長を制御することにより、III−V族化合物結晶の選択成長を容易に行うことができる。また、結晶成長方向の結晶膜厚を一定に揃えることも容易である。更に、III−V族化合物の成長結晶は、その根元部において壁の立ち上がりが良好であり、高精度の微細構造を形成することができる。
技術概要
基板上の三次元微細構造は、以下の方法で作製される。第1工程では、真空中でIII−V族化合物半導体基板1の表面に電子ビームを照射することにより、当該基板1の表面の自然酸化膜2をIII族酸化物3に置換させ、改質マスク部3を周期的に形成する。第2工程では、真空中で前記基板1を昇温させることにより、前記改質マスク部3以外の部分の前記自然酸化膜2を脱離させて基板表面を露出させる。第3工程では、真空にV族原料を供給した環境下で前記基板1を所定温度で加熱することで、前記基板表面の露出部分からIII族原子を優先的に剥離させて前記改質マスク部3上をホッピングさせ、当該露出部分に窪み4を形成する。第4工程では、固体成長原料を用いた分子線エピタキシャル成長法を行うことで、前記窪み4の部分にIII−V族化合物半導体結晶5を選択成長させる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 学校法人関西学院

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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