三次元微細加工方法及び三次元微細構造

開放特許情報番号
L2013001367
開放特許情報登録日
2013/7/5
最新更新日
2013/7/5

基本情報

出願番号 特願2009-086680
出願日 2009/3/31
出願人 学校法人関西学院
公開番号 特開2010-237539
公開日 2010/10/21
登録番号 特許第5267945号
特許権者 学校法人関西学院
発明の名称 三次元微細加工方法及び三次元微細構造
技術分野 情報・通信、機械・加工
機能 機械・部品の製造
適用製品 三次元微細加工方法
目的 電子ビームによる改質領域を縮小して微細なマスクを精密に形成可能にするとともに、当該マスクを利用して精密な三次元微細構造を作製できる三次元微細加工方法を提供する。
効果 進入深度が数nm程度の低加速電圧を用いた電子ビームを用いて無機レジスト酸化膜の改質を行うことができる。低加速電圧を用いた電子ビームは、基板の表面付近で入射電子が集中するので、レジスト感度を効率的に向上させることができる。
技術概要
GaAs基板1の表面に、As薄膜2と、Ga↓2O↓3薄膜4と、As薄膜5と、で構成される3層無機レジスト酸化膜10を形成する。選択図の(f)から(g)に示す工程では、真空中で3層無機レジスト酸化膜10の表面に照射した電子ビームによって、Ga↓2O↓3薄膜4とGaAs基板1の表面の一部が密着し、熱耐性を有する改質マスク部17が形成される。(h)に示す工程では、As薄膜2が昇華され、改質マスク部17以外の部分のGa↓2O↓3薄膜4が脱離してGaAs基板1の表面が露出する。(i)に示す工程では、エッチング処理を行って、GaAs基板1の露出部分からGaを優先的に剥離させることで窪み等が形成された三次元微細構造を作製する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 学校法人関西学院

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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