エピタキシャル成長層付き単結晶ＳｉＣ基板、炭素供給フィード基板、及び炭素ナノ材料付きＳｉＣ基板
- 開放特許情報番号
- L2013001366
- 開放特許情報登録日
- 2013/7/5
- 最新更新日
- 2014/3/27
基本情報
| 出願番号 | 特願2009-115912 |
|---|---|
| 出願日 | 2009/5/12 |
| 出願人 | 学校法人関西学院 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2010/11/25 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 学校法人関西学院 |
| 発明の名称 | エピタキシャル成長層付き単結晶ＳｉＣ基板、炭素供給フィード基板、及び炭素ナノ材料付きＳｉＣ基板 |
| 技術分野 | 無機材料、電気・電子 |
| 機能 | 機械・部品の製造、材料・素材の製造、制御・ソフトウェア |
| 適用製品 | ＳｉＣ基板の製造方法 |
| 目的 | 基板表面が分子レベルで平坦化された単結晶ＳｉＣ基板を提供する。 |
| 効果 | 単結晶ＳｉＣ基板の表面が分子レベルで平坦化されているので、基板表面に微細構造を精密に作製することが可能になる。
原子レベルで平坦な層を効率良く容易に得ることができる。 機械的な研磨やエッチングでは困難な分子レベルでの平坦化を行うことができる。また、自己組織化されるような形でステップが単結晶ＳｉＣの基板表面に形成されるので、研磨やエッチング等による平坦化処理で生じていた表面のダメージを抑制できる。 |
技術概要) |
単結晶４Ｈ−ＳｉＣ又は単結晶６Ｈ−ＳｉＣからなる単結晶ＳｉＣ基板において、
前記単結晶ＳｉＣ基板が４Ｈ−ＳｉＣ単結晶で構成される場合は、ステップの高さは、０．５ｎｍで一定であるか、１．０ｎｍで一定であるか、又は０．５ｎｍと１．０ｎｍが混在した状態であり、 前記単結晶ＳｉＣ基板が６Ｈ−ＳｉＣ単結晶で構成される場合は、ステップの高さは、０．７５ｎｍで一定であるか、１．５ｎｍで一定であるか、又は０．７５ｎｍと１．５ｎｍが混在した状態であることを特徴とする単結晶ＳｉＣ基板。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【可】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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