エピタキシャル成長層付き単結晶SiC基板、炭素供給フィード基板、及び炭素ナノ材料付きSiC基板

開放特許情報番号
L2013001366
開放特許情報登録日
2013/7/5
最新更新日
2014/3/27

基本情報

出願番号 特願2009-115912
出願日 2009/5/12
出願人 学校法人関西学院
公開番号 特開2010-265126
公開日 2010/11/25
登録番号 特許第5464544号
特許権者 学校法人関西学院
発明の名称 エピタキシャル成長層付き単結晶SiC基板、炭素供給フィード基板、及び炭素ナノ材料付きSiC基板
技術分野 無機材料、電気・電子
機能 機械・部品の製造、材料・素材の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 SiC基板の製造方法
目的 基板表面が分子レベルで平坦化された単結晶SiC基板を提供する。
効果 単結晶SiC基板の表面が分子レベルで平坦化されているので、基板表面に微細構造を精密に作製することが可能になる。
原子レベルで平坦な層を効率良く容易に得ることができる。
機械的な研磨やエッチングでは困難な分子レベルでの平坦化を行うことができる。また、自己組織化されるような形でステップが単結晶SiCの基板表面に形成されるので、研磨やエッチング等による平坦化処理で生じていた表面のダメージを抑制できる。
技術概要
単結晶4H−SiC又は単結晶6H−SiCからなる単結晶SiC基板において、
前記単結晶SiC基板が4H−SiC単結晶で構成される場合は、ステップの高さは、0.5nmで一定であるか、1.0nmで一定であるか、又は0.5nmと1.0nmが混在した状態であり、
前記単結晶SiC基板が6H−SiC単結晶で構成される場合は、ステップの高さは、0.75nmで一定であるか、1.5nmで一定であるか、又は0.75nmと1.5nmが混在した状態であることを特徴とする単結晶SiC基板。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 学校法人関西学院

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
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