半導体ウエハの製造方法

開放特許情報番号

L2013001364

開放特許情報登録日

2013/7/5

最新更新日

2014/7/31

基本情報

出願番号	特願2009-274910
出願日	2009/12/2
出願人	学校法人関西学院
公開番号	特開2011-119412
公開日	2011/6/16
登録番号	特許第5540349号
特許権者	学校法人関西学院
発明の名称	半導体ウエハの製造方法
技術分野	電気・電子、無機材料
機能	材料・素材の製造
適用製品	半導体ウエハの製造方法
目的	基板の表面に４Ｈ−ＳｉＣ単結晶層を効率的にエピタキシャル成長させることができる半導体ウエハの製造方法を提供する。
効果	フィーダとして機能する３Ｃ−ＳｉＣ多結晶層がなくなるまでの間、当該３Ｃ−ＳｉＣ多結晶層の内側でＳｉ融液が一定量に保たれ、炭素移動媒体として適切に機能し続けることになる。これによって、エピタキシャル成長を長時間持続する必要がある大口径ウエハの製造も容易に行うことができる。また、Ｓｉ融液層は密閉されているので、外部から異物が混入するおそれもなく、エピタキシャル成長を良好に進行させることができる。
技術概要	少なくとも表面がＳｉＣで構成される基板の表面にＳｉ層を形成するＳｉ層形成工程と、 前記Ｓｉ層が形成された前記基板に３Ｃ−ＳｉＣ多結晶層を形成することで、前記Ｓｉ層を密閉するＳｉ層密閉工程と、 前記基板を加熱することで、前記３Ｃ−ＳｉＣ多結晶層の内側で前記Ｓｉ層を溶融させてＳｉ融液層を形成する加熱工程と、 加熱制御を行うことで、前記Ｓｉ融液層が、前記３Ｃ−ＳｉＣ多結晶層からＣとＳｉとを取り込むとともに、取り込んだＣとＳｉ融液層中のＳｉとを結合させることで、当該基板に４Ｈ−ＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させる成長工程と、 を含むことを特徴とする半導体ウエハの製造方法。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【可】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	学校法人関西学院

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】