目的
基板の表面に４Ｈ−ＳｉＣ単結晶層を効率的にエピタキシャル成長させることができる半導体ウエハの製造方法を提供する。
効果
フィーダとして機能する３Ｃ−ＳｉＣ多結晶層がなくなるまでの間、当該３Ｃ−ＳｉＣ多結晶層の内側でＳｉ融液が一定量に保たれ、炭素移動媒体として適切に機能し続けることになる。これによって、エピタキシャル成長を長時間持続する必要がある大口径ウエハの製造も容易に行うことができる。また、Ｓｉ融液層は密閉されているので、外部から異物が混入するおそれもなく、エピタキシャル成長を良好に進行させることができる。
技術概要
少なくとも表面がＳｉＣで構成される基板の表面にＳｉ層を形成するＳｉ層形成工程と、
前記Ｓｉ層が形成された前記基板に３Ｃ−ＳｉＣ多結晶層を形成することで、前記Ｓｉ層を密閉するＳｉ層密閉工程と、
前記基板を加熱することで、前記３Ｃ−ＳｉＣ多結晶層の内側で前記Ｓｉ層を溶融させてＳｉ融液層を形成する加熱工程と、
加熱制御を行うことで、前記Ｓｉ融液層が、前記３Ｃ−ＳｉＣ多結晶層からＣとＳｉとを取り込むとともに、取り込んだＣとＳｉ融液層中のＳｉとを結合させることで、当該基板に４Ｈ−ＳｉＣ単結晶をエピタキシャル成長させる成長工程と、
を含むことを特徴とする半導体ウエハの製造方法。
基本情報
開放特許情報
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登録者情報
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