単結晶炭化ケイ素基板

開放特許情報番号
L2013001363
開放特許情報登録日
2013/7/5
最新更新日
2014/7/31

基本情報

出願番号 特願2011-111721
出願日 2011/5/18
出願人 学校法人関西学院
公開番号 特開2011-153074
公開日 2011/8/11
登録番号 特許第5545268号
特許権者 学校法人関西学院
発明の名称 SiCマルチチップ基板
技術分野 無機材料
機能 材料・素材の製造
適用製品 単結晶炭化ケイ素基板
目的 マイクロパイプ等の欠陥の少ない単結晶炭化ケイ素基板を実現する。
効果 単結晶炭化ケイ素基板を均等に液相エピタキシャル成長させることができ、製造される単結晶の基板の品質を向上させることができるほか、基板の製造効率を向上させ、製造に要する時間を低減できる。
技術概要
単結晶基板27は、C原子供給基板17と、C原子供給基板17よりも面積の小さい単結晶炭化ケイ素からなるシード面5bを有する基板5´とを対向させると共に、シード面5bとC原子供給基板17との間、及び、シード面5bの面方向外側の領域とC原子供給基板17との間に金属シリコン融液18を存在させて、密閉容器16内で均一に熱処理することにより、シード面5b上及びシード面5bの面方向外側に単結晶炭化ケイ素が液相エピタキシャル成長して製造されるものである。シード面5bの面方向外側に成長する結晶は、シード面5b上に成長する結晶よりも速い速度で成長する。単結晶基板27は、その面積が、シード面5bの面積より大きく、且つ、C原子供給基板17側の表面が、液相エピタキシャル成長によって、シード面5bと平行な平坦状に形成されている。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 学校法人関西学院

その他の情報

関連特許
国内 【有】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT