単結晶炭化ケイ素基板

開放特許情報番号

L2013001363

開放特許情報登録日

2013/7/5

最新更新日

2014/7/31

基本情報

出願番号	特願2011-111721
出願日	2011/5/18
出願人	学校法人関西学院
公開番号	特開2011-153074
公開日	2011/8/11
登録番号	特許第5545268号
特許権者	学校法人関西学院
発明の名称	ＳｉＣマルチチップ基板
技術分野	無機材料
機能	材料・素材の製造
適用製品	単結晶炭化ケイ素基板
目的	マイクロパイプ等の欠陥の少ない単結晶炭化ケイ素基板を実現する。
効果	単結晶炭化ケイ素基板を均等に液相エピタキシャル成長させることができ、製造される単結晶の基板の品質を向上させることができるほか、基板の製造効率を向上させ、製造に要する時間を低減できる。
技術概要	単結晶基板２７は、Ｃ原子供給基板１７と、Ｃ原子供給基板１７よりも面積の小さい単結晶炭化ケイ素からなるシード面５ｂを有する基板５´とを対向させると共に、シード面５ｂとＣ原子供給基板１７との間、及び、シード面５ｂの面方向外側の領域とＣ原子供給基板１７との間に金属シリコン融液１８を存在させて、密閉容器１６内で均一に熱処理することにより、シード面５ｂ上及びシード面５ｂの面方向外側に単結晶炭化ケイ素が液相エピタキシャル成長して製造されるものである。シード面５ｂの面方向外側に成長する結晶は、シード面５ｂ上に成長する結晶よりも速い速度で成長する。単結晶基板２７は、その面積が、シード面５ｂの面積より大きく、且つ、Ｃ原子供給基板１７側の表面が、液相エピタキシャル成長によって、シード面５ｂと平行な平坦状に形成されている。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【可】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	学校法人関西学院

その他の情報

関連特許	国内 【有】 国外 【無】