半導体処理装置および半導体処理方法

開放特許情報番号
L2013001258
開放特許情報登録日
2013/6/26
最新更新日
2016/9/22

基本情報

出願番号 特願2012-041973
出願日 2012/2/28
出願人 国立大学法人広島大学
公開番号 特開2013-179163
公開日 2013/9/9
登録番号 特許第5972605号
特許権者 国立大学法人広島大学
発明の名称 半導体処理装置および半導体処理方法
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、加熱・冷却
適用製品 半導体処理装置および半導体処理方法
目的 SiC基板の破損を抑制してSiC基板を高温に加熱可能な半導体処理装置を提供する。
効果 熱プラズマジェットは、半導体ウェハに螺旋状に照射され、半導体ウェハは、径方向に沿って徐々に1800℃以上に加熱される。また、半導体ウェハの外周端における応力に起因する半導体ウェハの割れの発生が抑制される。
また、熱プラズマジェットの照射位置が半導体ウェハの外周側の縁から一定の距離にある位置に達すると、熱プラズマジェットを停止し、または熱プラズマジェットを半導体ウェハから遠ざける。
従って、半導体ウェハの破損を抑制して半導体ウェハを高温に加熱できる。
技術概要
半導体処理装置100は、アクチュエータ2と、プラズマ源10と、支持台50と、回転手段60と、移動手段70とを備える。プラズマ源10は、アクチュエータ2を介して架台1に固定される。そして、プラズマ源10は、熱プラズマジェットを生成し、その生成した熱プラズマジェットをSiC結晶からなるウェハ90に照射する。支持台50は、ウェハ90を支持する。回転手段60は、支持台50を軸Xの回りに角速度ωで回転する。移動手段70は、支持台50を水平方向DR1(=ウェハ90の径方向)へ移動する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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