発光増強基板及び発光素子

開放特許情報番号:L2013001240 開放特許情報登録日:2013/6/26 最新更新日:2016/12/23

基本情報
出願番号
公開番号
登録番号
出願日
2012/8/7
公開日
2014/2/24
出願人
国立大学法人広島大学
特許権者
国立大学法人広島大学
権利化状況
権利化済
発明の名称
発光増強基板及び発光素子
開放特許情報
技術分野
電気・電子
機能
材料・素材の製造 機械・部品の製造
適用製品
ナノ粒子を利用した発光増強基板及び発光素子
目的
局在電場を発生して発光体を強く励起すると共に、消光を強く抑制することにより、発光体の発光強度をより増強できる発光増強基板及び発光素子を得られるようにする。
効果
本発明に係る発光増強基板及び発光素子によると、発光体を強く励起できると共に消光を防ぐことができるため、発光強度を顕著に向上することが可能となる。
また、本発明は、発光体から発する光の強度を増強でき、目的とする物質を検出するために蛍光を利用するバイオセンサ、及び有機ELディスプレイ又はLED照明等に用いられる発光素子等に利用可能である。
技術概要
発光増強基板1は、発光体の発光強度を増強するために用いられ、基板2と、基板2の表面に配設され、シリコンからなる複数のSiナノ粒子3により構成されたナノ粒子層4とを備えている。ナノ粒子層4は、光が照射されることによって局在電場を発生する。
イメージ図
実施実績   :
許諾実績 :
特許権譲渡  :
特許権実施許諾:
登録者情報
その他の情報
関連特許
(国内):
(国外):
固定URLをクリップボードにコピーしました。
Copyright © INPIT Rights Reserved