酸化物ドットパターンの作製方法及び酸化物ドットパターン

開放特許情報番号
L2013001205
開放特許情報登録日
2013/6/20
最新更新日
2017/1/25

基本情報

出願番号 特願2013-049567
出願日 2013/3/12
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2014-172087
公開日 2014/9/22
登録番号 特許第6041145号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 酸化物ドットパターンの作製方法
技術分野 機械・加工、情報・通信
機能 材料・素材の製造
適用製品 酸化物ドットパターンの作製方法及び酸化物ドットパターン
目的 真空雰囲気や薬剤、加熱処理を一切必要とせず、基材表面上の任意の箇所に直径10μm以下の微細ドットを形成する。
効果 本発明の酸化物ドットパターン作製方法によれば、真空雰囲気や薬剤、加熱処理を一切必要とせず、従来に比べて省工程・省エネルギーな方法で基材表面上の任意の箇所に直径10μm以下の微細ドットを正確に形成することができる。
また、真空雰囲気や低温加熱さえも嫌うような生体親和性材料・有機材料などへの光・電子回路パターン積層による高機能化を可能にでき、微小球を利用した光回路に利用可能である。
技術概要
酸化物膜が表面に形成された透明板に対し、前記酸化物膜側又は前記透明板側から第一のパルスレーザー光を前記酸化物膜が膜加熱しつつも転写がみられないレーザーエネルギーで照射して予備加熱する予備加熱ステップと、
前記酸化物膜が表面に形成された透明板に対する前記第一のパルスレーザー光の照射終了後で前記予備加熱の効果が認められる範囲の所定時間経過後に、前記第一のパルスレーザー光の照射面積に収まるような位置で、かつ、前記照射面積以下の面積で第二のパルスレーザー光を前記酸化物膜が表面に形成された透明板に、前記酸化物膜側又は前記透明板側から照射して、前記酸化物膜が表面に形成された透明板の前記酸化物膜に対して対向配置された転写用基板に酸化物からなるドットを転写する転写ステップと
を含むことを特徴とする酸化物ドットパターンの作製方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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