微小構造体の作製方法

開放特許情報番号
L2013001189
開放特許情報登録日
2013/6/20
最新更新日
2017/5/15

基本情報

出願番号 特願2013-050595
出願日 2013/3/13
出願人 国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号 特開2014-176904
公開日 2014/9/25
登録番号 特許第6085757号
特許権者 国立研究開発法人産業技術総合研究所
発明の名称 微小構造体の作製方法
技術分野 輸送
機能 材料・素材の製造
適用製品 シリコン−オン−インシュレータ(SOI)ウエハ上にリリースMEMS構造体を作製する方法
目的 気体HFドライエッチングを用いた空洞ファーストプロセスによるSOIウエハ内にリリースMEMS構造を作製する方法を提供する。
効果 シリコン−オン−インシュレータ(SOI)ウエハ上にCMOS回路を有するMEMSデバイスのフレキシブルな作製と容易なパッケージングを可能にし、ウエットケミカルエッチングまたは時間を浪費するDRIEによるウエハの背面からのデバイスのリリースを不要とし、HFによる金属またはSiO↓2の損傷のリスクを低減する。
より良い厚み均一性とより少ないMEMS構造内の残留ストレスとともに、プロセスが容易であり、高い生産性を実現する。
技術概要
リリースMEMS構造を作製する方法であって、
シリコン−オン−インシュレータ(SOI)基板に、
DRIEによって、活性シリコン層にリリースホールを形成するステップと、
気体HFドライエッチングによって前記リリースホールの下部のSiO2BOX層に空洞を形成するステップと、
前記SOI基板に気体HFドライエッチングによって損傷を受けるコンポーネントを作製するステップと、
Si−DRIEによって前記SOI基板のMEMS構造をリリースするステップと
を備えたことを特徴とする方法。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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