微小構造体の作製方法
- 開放特許情報番号
- L2013001189
- 開放特許情報登録日
- 2013/6/20
- 最新更新日
- 2017/5/15
基本情報
| 出願番号 | 特願2013-050595 |
|---|---|
| 出願日 | 2013/3/13 |
| 出願人 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 公開番号 | |
| 公開日 | 2014/9/25 |
| 登録番号 | |
| 特許権者 | 国立研究開発法人産業技術総合研究所 |
| 発明の名称 | 微小構造体の作製方法 |
| 技術分野 | 輸送 |
| 機能 | 材料・素材の製造 |
| 適用製品 | シリコン−オン−インシュレータ（ＳＯＩ）ウエハ上にリリースＭＥＭＳ構造体を作製する方法 |
| 目的 | 気体ＨＦドライエッチングを用いた空洞ファーストプロセスによるＳＯＩウエハ内にリリースＭＥＭＳ構造を作製する方法を提供する。 |
| 効果 | シリコン−オン−インシュレータ（ＳＯＩ）ウエハ上にＣＭＯＳ回路を有するＭＥＭＳデバイスのフレキシブルな作製と容易なパッケージングを可能にし、ウエットケミカルエッチングまたは時間を浪費するＤＲＩＥによるウエハの背面からのデバイスのリリースを不要とし、ＨＦによる金属またはＳｉＯ↓２の損傷のリスクを低減する。
より良い厚み均一性とより少ないＭＥＭＳ構造内の残留ストレスとともに、プロセスが容易であり、高い生産性を実現する。 |
技術概要) |
リリースＭＥＭＳ構造を作製する方法であって、
シリコン−オン−インシュレータ（ＳＯＩ）基板に、 ＤＲＩＥによって、活性シリコン層にリリースホールを形成するステップと、 気体ＨＦドライエッチングによって前記リリースホールの下部のＳｉＯ２ＢＯＸ層に空洞を形成するステップと、 前記ＳＯＩ基板に気体ＨＦドライエッチングによって損傷を受けるコンポーネントを作製するステップと、 Ｓｉ−ＤＲＩＥによって前記ＳＯＩ基板のＭＥＭＳ構造をリリースするステップと を備えたことを特徴とする方法。 |
| 実施実績 | 【無】 |
| 許諾実績 | 【無】 |
| 特許権譲渡 | 【否】 |
| 特許権実施許諾 | 【可】 |
登録者情報
| 登録者名称 | |
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その他の情報
| 関連特許 |
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