金属ナノ粒子を有する抵抗変化メモリ

開放特許情報番号
L2013001187
開放特許情報登録日
2013/6/19
最新更新日
2013/6/19

基本情報

出願番号 特願2009-246473
出願日 2009/10/27
出願人 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学
公開番号 特開2011-096714
公開日 2011/5/12
発明の名称 金属ナノ粒子を有する抵抗変化メモリ
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造
適用製品 金属ナノ粒子を有する抵抗変化メモリ
目的 抵抗変化メモリ素子の抵抗値を安定させ、信頼性のある抵抗変化メモリ素子を提供する。
また、金属ナノ粒子の2次元面内における配置、下部電極と上部電極間の厚み方向(垂直方向)における位置、さらには、金属ナノ粒子の密度を制御することにより、動作電圧を制御する。
効果 金属ナノ粒子によりメモリ状態の抵抗値のバラつきを大幅に低減させて、動作信頼性の高いメモリ素子を提供することが可能となる。
また、メモリ素子中の金属ナノ粒子の密度を制御することで、動作電圧やOFF状態の抵抗値を制御することが可能となる。
技術概要
第1電極100と、第1電極100上に形成された遷移金属酸化物の抵抗変化層110と、抵抗変化層110上に形成された第2電極130、及び抵抗変化層110内に形成される金属ナノ粒子120を含む抵抗変化メモリ素子であって、フィラメント電流経路140は第2電極130と金属ナノ粒子120間でのみ形成される。これにより、メモリ素子の抵抗値を安定化することができる。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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