不揮発性光メモリ、光記憶装置、ネットワークルータ

開放特許情報番号
L2013001182
開放特許情報登録日
2013/6/19
最新更新日
2015/4/23

基本情報

出願番号 特願2011-073051
出願日 2011/3/29
出願人 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学
公開番号 特開2012-209382
公開日 2012/10/25
登録番号 特許第5688739号
特許権者 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学
発明の名称 不揮発性光メモリ、光記憶装置、ネットワークルータ
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 不揮発性光メモリ、光記憶装置、ネットワークルータ
目的 光信号の情報を記憶させておくために電力を消費することがなく、光信号の情報の書込み、および読出しを高速にかつ簡単な構成で行なうことができる不揮発性光メモリを提供する。
効果 光信号の情報を記憶させておくための電力を消費する必要がない。
不揮発性光メモリの発光領域から発するレーザー光を直接、光信号として利用することができ、光信号を生成する時間を短縮して、光信号の情報の読出しを高速に行なうことができ、光信号を生成するための別途光源を必要としない。
技術概要
電子のスピン偏極状態を利用して光信号を記憶する半導体レーザー構造を備えた不揮発性光メモリ10である。不揮発性光メモリ10は、GaAs基板1と、GaAs基板1上に、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することで形成してある分布ブラッグ反射層2と、分布ブラッグ反射層2上に、量子井戸構造を有する半導体活性層3とを備えている。発光領域10aの半導体活性層3上に、異なる屈折率の半導体膜を交互に積層することで形成してある分布ブラッグ反射層4と、受光領域10bの半導体活性層3上の一部に、半導体活性層3の表面に対して垂直の磁化方向を有する強磁性電極5とを備えている。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
Copyright © 2017 INPIT