単一金属酸化物ナノ粒子による抵抗変化メモリおよびその作製方法

開放特許情報番号
L2013001179
開放特許情報登録日
2013/6/19
最新更新日
2013/6/19

基本情報

出願番号 特願2010-037728
出願日 2010/2/23
出願人 国立大学法人 奈良先端科学技術大学院大学
公開番号 特開2011-176041
公開日 2011/9/8
発明の名称 単一金属酸化物ナノ粒子による抵抗変化メモリおよびその作製方法
技術分野 電気・電子
機能 材料・素材の製造
適用製品 金属酸化物単一ナノ粒子による抵抗変化メモリおよびその作製方法
目的 金属酸化物単一ナノ粒子を抵抗変化メモリに利用するもので、メモリの大容量化や低消費電力化を実現する抵抗変化メモリ素子の製造方法を提供する。
効果 金属酸化物ナノ粒子により抵抗変化メモリの素子サイズを大幅に縮小することが可能となる。素子サイズ縮小の効果として、メモリの大容量化や書き込みや消去時の消費電力の低減が実現される。
本発明のメモリ素子構造は、不揮発性メモリ分野において、低消費電力で大容量メモリを提供するものである。
技術概要
第1電極、第2電極、および第1電極と第2電極とに電気的に接触する金属酸化物ナノ粒子を単一メモリセル中に1つ含み、前記金属酸化物ナノ粒子が、フェリチンにより形成されることを特徴とする抵抗変化メモリ素子。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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