化合物半導体極細線の製造方法、及び化合物半導体極細線集合体

開放特許情報番号
L2013001031
開放特許情報登録日
2013/6/13
最新更新日
2014/2/25

基本情報

出願番号 特願2010-026986
出願日 2010/2/9
出願人 国立大学法人 長崎大学
公開番号 特開2011-162844
公開日 2011/8/25
登録番号 特許第5424406号
特許権者 国立大学法人 長崎大学
発明の名称 化合物半導体極細線の製造方法、及び化合物半導体極細線集合体
技術分野 金属材料、化学・薬品、無機材料
機能 材料・素材の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 化合物半導体極細線の製造方法、及び化合物半導体極細線集合体
目的 精度よく且つ量産化に適した化合物半導体極細線の製造方法、及び化合物半導体極細線集合体を提供する。
効果 本発明に係る化合物半導体極細線の製造方法によれば、化合物半導体極細線を精度よく且つ量産化することができる。
また、本発明に係る化合物半導体極細線集合体によれば、表面積が大きい化合物半導体基板として構成できるので、微小構造でありながら表面積の大きな太陽電池を構成することができる。
技術概要
電析法を用いて、ナノサイズの微細貫通孔を複数有するテンプレートの微細貫通孔中に、化合物半導体を充填する。あるいは微細貫通孔中に化合物半導体の構成元素である第1元素と第2元素を交互に層状に充填した後に第1元素と第2元素を拡散熱処理する。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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