半導体装置

開放特許情報番号
L2013000680
開放特許情報登録日
2013/4/26
最新更新日
2017/3/30

基本情報

出願番号 特願2010-279171
出願日 2010/12/15
出願人 学校法人 東洋大学
公開番号 特開2012-129349
公開日 2012/7/5
登録番号 特許第5780629号
特許権者 学校法人 東洋大学
発明の名称 半導体装置
技術分野 電気・電子
機能 機械・部品の製造、制御・ソフトウェア
適用製品 半導体装置
目的 バルクCMOSプロセスを用いて製造され、高電圧を発生可能な太陽電池と半導体集積回路とが同一半導体基板上に配置された半導体装置を提供する。
効果 バルクCMOSプロセスを用いて製造され、高電圧を発生可能な太陽電池と半導体集積回路とが同一半導体基板上に配置された半導体装置を提供できる。
技術概要
半導体集積回路と第1及び第2の太陽電池とが同一半導体基板上に配置された半導体装置であって、
前記第1及び第2の太陽電池のそれぞれが、内側の半導体領域の底面及び側面を該半導体領域と導電型の異なる半導体領域が取り囲むように、前記半導体基板の上部の一部に埋め込まれて積層された複数の半導体領域を備え、
前記第1の太陽電池と前記第2の太陽電池にそれぞれ構成されるpn接合が直列に接続されるように前記第1の太陽電池と前記第2の太陽電池が直列接続されていることを特徴とする半導体装置。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【可】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

登録者名称 学校法人東洋大学

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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