| 出願番号 |
特願2010-029015 |
| 出願日 |
2010/2/12 |
| 出願人 |
学校法人 東洋大学 |
| 公開番号 |
特開2011-165561 |
| 公開日 |
2011/8/25 |
| 登録番号 |
特許第5550042号 |
| 特許権者 |
学校法人 東洋大学 |
| 発明の名称 |
イオンビーム軌道制御装置 |
| 技術分野 |
電気・電子 |
| 機能 |
機械・部品の製造 |
| 適用製品 |
イオンビーム軌道制御装置 |
| 目的 |
電磁界を発生させずにイオンビームの軌道を制御するイオンビーム軌道制御装置を提供する。 |
| 効果 |
電磁界を発生させずにイオンビームの軌道を制御するイオンビーム軌道制御装置を提供できる。
本発明のイオンビーム軌道制御装置は、放射線、加速器、プラズマ、核融合、微細加工、表面分析、重粒子線治療等の、イオンビームを使用する分野の用途に利用可能である。 |
技術概要
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イオンビームＬが入射する反射部１１を備えたイオンビーム軌道制御装置１０であって、反射部１１がイオンビームＬを反射する反射面１１０を有し、その反射面１１０が、イオンビームＬのイオンより原子番号の大きい原子により最表面が構成されている誘電体表面である。 |
| 実施実績 |
【無】 |
| 許諾実績 |
【無】 |
| 特許権譲渡 |
【可】
|
| 特許権実施許諾 |
【可】
|
)