透明導電膜の製造方法

開放特許情報番号
L2013000671
開放特許情報登録日
2013/4/23
最新更新日
2013/4/23

基本情報

出願番号 特願2011-170241
出願日 2011/8/3
出願人 学校法人金沢工業大学
公開番号 特開2013-037768
公開日 2013/2/21
発明の名称 透明導電膜の製造方法
技術分野 電気・電子、金属材料
機能 材料・素材の製造、制御・ソフトウェア、機械・部品の製造
適用製品 透明導電膜
目的 広範な波長領域の光に対する散乱性能を高めた透明導電膜の製造方法を提供する。
効果 広範な波長領域の光に対する散乱性能を高めた透明導電膜を製造できる。
本発明により20%程度の変換効率の向上が達成できれば、大面積かつ低コストに製造できる薄膜Si系太陽電池の利点を生かして、他の結晶系太陽電池と十分に競争できる性能を実現できる。薄膜Si系太陽電池は、結晶系Si太陽電池と比較して、使用する原料も少なくてすむことから、環境負荷も小さく、グリーンエネルギー技術開発の進展に極めて大きな効果をもたらすことが期待できる。
技術概要
透明導電膜の製造方法は、酸化亜鉛を主成分とする透明導電膜を基体上にスパッタリング法によって形成する膜形成工程と、透明導電膜をアニール処理するアニール工程と、透明導電膜をウェットエッチングするエッチング工程と、を備える。アニール工程は、エッチング工程よりも前に行われてもよい。透明導電膜のアニール処理の温度が300〜600℃であってもよい。
実施実績 【無】   
許諾実績 【無】   
特許権譲渡 【否】
特許権実施許諾 【可】

登録者情報

その他の情報

関連特許
国内 【無】
国外 【無】   
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