埋め込み電極又は配線の作製方法

開放特許情報番号

L2013000660

開放特許情報登録日

2013/4/19

最新更新日

2015/12/18

基本情報

出願番号	特願2013-012550
出願日	2013/1/25
出願人	国立研究開発法人産業技術総合研究所
公開番号	特開2014-146625
公開日	2014/8/14
発明の名称	埋め込み電極又は配線の作製方法
技術分野	機械・加工、電気・電子
機能	機械・部品の製造、材料・素材の製造
適用製品	電極又は配線の作製方法
目的	いかなる基材にも、電極・配線の上面と非電極・配線部分の上面に段差がないパターンを形成しうる方法、及び該方法により得られる高品質な電子部品を提供する。
効果	電極・配線パターンと絶縁膜間に段差がない膜形成が可能になる。また、トランジスタ特性の向上が見込まれる。電極・配線形成法として用いる印刷法の自由度があがり、従来難しかった厚膜向きの印刷法(たとえばスクリーン印刷やグラビア印刷)を、ＴＦＴ電極の形成法として利用することができる。
技術概要	絶縁インク膜に埋め込まれた電極又は配線のパターンを形成する方法であって、 ブランケット上に電極又は配線パターンを形成する工程と、 前記ブランケット上及び前記パターン上に絶縁性インクを塗布して前記ブランケット上に多層構造を有する膜を形成する工程と、 得られた多層構造を有する膜を前記ブランケットから対象物に転写する工程と を有することを特徴とするパターン形成方法。
実施実績	【無】
許諾実績	【無】
特許権譲渡	【否】
特許権実施許諾	【可】

登録者情報

登録者名称	国立研究開発法人産業技術総合研究所

その他の情報

関連特許	国内 【無】 国外 【無】